[发明专利]用于电子器件的栅绝缘层

权利要求书

1.聚合物组合物，其包括聚环烯烃聚合物和交联剂，其中所述聚合物包含一种或多种具有可交联基团的重复单元，和所述交联剂是下式的化合物：

其中R¹⁰和R¹¹各自独立地为H或C₁-C₆烷基，和

A″是单键或间隔基团、连接基团或桥基且优选选自(CZ₂)_n、(CH₂)_n-(CH＝CH)_p-(CH₂)_n、(CH₂)_n-O、(CH₂)_n-O-(CH₂)_n、(CH₂)_n-C₆Q₁₀-(CH₂)_n和C(O)-O，其中每个n独立地为0到12的整数，p为1-6的整数，Z独立地为H或F、C₆Q₁₀是被Q取代的环己基，Q独立地为H、F、CH₃、CF₃或OCH₃。

2.根据权利要求1的聚合物组合物，其包括溶剂，可交联的降冰片烯类聚合物，以及交联剂、UV敏化剂和粘合促进剂中的一种或多种。

3.根据权利要求2的聚合物组合物，其中所述降冰片烯类聚合物包括衍生自选自DMMIMeNB、DMMIEtNB、DMMIPrNB或DMMIBuNB的降冰片烯类单体的重复单元。

4.根据权利要求2或3的聚合物组合物，其中UV敏化剂是CPTX，且溶剂是MAK、环己酮或环戊酮。

5.根据权利要求2到4中的一项或多项的聚合物组合物，其中所述交联剂为DMMI-丁基-DMMI、DMMI-戊基-DMMI或DMMI-己基-DMMI。

6.根据权利要求2到5中的一项或多项的聚合物组合物，其中所述粘合促进剂为DMMI-丙基-Si(OEt)₃、DMMI-丁基-Si(OEt)₃、DMMI-丁基-Si(OMe)₃或DMMI-己基-Si(OMe)₃。

7.根据权利要求1到6中的一项或多项的聚合物组合物，其包括聚环烯烃聚合物，该聚环烯烃聚合物包括衍生自选自BuNB、HexNB、OctNB、DecNB、NBC₄F₉和PPVENB的降冰片烯类单体的重复单元。

8.根据权利要求1到7中的一项或多项的聚合物组合物，其包括聚环烯烃聚合物，该聚环烯烃聚合物包括衍生自选自EONB、MGENB、DMMIMeNB、DMMIEtNB、DMMIPrNB、DMMIBuNB和DMMIHxNB的降冰片烯类单体的可交联重复单元。

9.根据权利要求1到8中的一项或多项的聚合物组合物，其包括聚环烯烃聚合物，该聚环烯烃聚合物包括衍生自选自BuNB、HexNB、OctNB、DecNB的降冰片烯类单体的重复单元和衍生自选自EONB、MGENB、DMMIMeNB、DMMIEtNB、DMMIPrNB、DMMIBuNB和DMMIHxNB的降冰片烯类单体的重复单元。