[发明专利]剥离方法

说明书

本发明提供一种剥离方法，即使在不可以充分破化缓冲层的情况下也可以容易剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板的正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板，该剥离方法包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从构成复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，在实施了缓冲层破坏工序之后，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板，光器件层移设工序向复合基板施加超声波振动来实施。

技术领域

本发明涉及剥离方法，该剥离方法将在蓝宝石基板或碳化硅等的外延基板的正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板。

背景技术

在光器件制造工艺中，在呈大致圆板形状的蓝宝石基板或碳化硅等的外延基板的正面上隔着缓冲层形成有由n型半导体层和p型半导体层构成的光器件层，该n型半导体层和p型半导体层由GaN(氮化镓)等构成，在由呈格子状形成于光器件层处的多个切割道划分的多个区域处形成发光二极管、激光二极管等的光器件并构成光器件晶片。然后，通过沿切割道分割光器件晶片，制造各个光器件(例如，参照专利文献1)。

并且，作为提高光器件的亮度的技术，下述专利文献2公开了一种被称作剥离的制造方法：将在构成光器件晶片的蓝宝石基板或碳化硅等的外延基板的正面隔着缓冲层层叠的由n型半导体层和p型半导体层构成的光器件层借助于AuSn(金锡)等的接合材料接合到钼(Mo)、铜(Cu)或者硅(Si)等的移设基板处，从外延基板的背面侧透过外延基板照射由缓冲层吸收的波长的激光光线并破坏缓冲层，将外延基板从光器件层剥离，从而将光器件层转移到移设基板。

【专利文献1】日本特开平10－305420号公报

【专利文献2】日本特开2004－72052号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在从外延基板的背面侧使聚光点定位在缓冲层来照射激光光线并破坏缓冲层时，有时不能充分破坏缓冲层，存在不能顺利剥离外延基板的问题。

并且，在为了提高光器件的品质而在外延基板的正面形成有多个细微的凹凸的情况下，存在的问题是，即使利用激光光线的照射破坏缓冲层，也难以利用形成在外延基板的正面的多个细微凹凸剥离外延基板。

本发明是鉴于上述事实而作成的，本发明的主要技术课题是提供一种剥离方法，该剥离方法即使在无法充分破坏缓冲层的情况下也可以顺利剥离外延基板的剥离方法。

用于解决问题的手段

为了解决上述主要技术课题，根据本发明，提供了一种剥离方法，将在外延基板的正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板，所述剥离方法的特征在于，包括：移设基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板；

缓冲层破坏工序，从构成该复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及

光器件层移设工序，在实施了该缓冲层破坏工序之后，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板，

该光器件层移设工序是在向复合基板施加超声波振动并且实施的。

在上述光器件层移设工序中，向形成复合基板的外延基板和移设基板中的任意一方的面施加超声波振动，在作为外延基板与移设基板的边界部的缓冲层插入楔，将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板。