[发明专利]晶圆级芯片封装结构有效
| 申请号： | 201510255996.5 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104992936A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 封装 结构 | ||
1.一种晶圆级芯片封装结构，包括金属凸点，其特征在于，所述金属凸点上设有阻挡层，所述阻挡层上设有焊球，所述金属凸点的外围设有塑封层，所述阻挡层位于所述塑封层以外，所述阻挡层相对于所述述塑封层的上表面凸起设置。
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述金属凸点为铜柱，所述焊球为锡球。
3.根据权利要求2所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述阻挡层为镍或镍合金。
4.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述阻挡层的四周向外延伸后位于所述塑封层之上。
5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，还包括硅承载层，所述硅承载层上设有凹槽，所述凹槽内设有铝层，在所述硅承载层上设有钝化层，所述钝化层在铝层上设有开口，所述钝化层及开口下方的铝层上选择性的形成再布线层，使所述再布线层覆盖所述开口，在所述开口以外的再布线层上表面设置金属凸点，在所述金属凸点的外围、所述再布线层和所述钝化层上设置塑封层。
6.根据权利要求5所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述钝化层覆盖部分铝层。
7.根据权利要求6所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述钝化层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺或它们的混合物。
8.根据权利要求7所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层为聚酰亚胺保护层。
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