[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装结构，包括金属凸点，其特征在于，所述金属凸点上设有阻挡层，所述阻挡层上设有焊球，所述金属凸点和所述阻挡层的外围设有塑封层，所述阻挡层的下表面位于所述塑封层的上表面以下。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述阻挡层的上表面位于所述塑封层的上表面以下。

3.根据权利要求2所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述金属凸点为铜柱，所述焊球为锡球。

4.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述阻挡层为镍或镍合金。

5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，还包括硅承载层，所述硅承载层上设有凹槽，所述凹槽内设有铝层，在所述硅承载层上设有钝化层，所述钝化层在铝层上设有开口，所述钝化层及开口下方的铝层上选择性的形成再布线层，使所述再布线层覆盖所述开口，在所述开口以外的再布线层上表面设置金属凸点，在所述金属凸点的外围、阻挡层的外围、所述再布线层和所述钝化层上设置塑封层。

6.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述阻挡层与所述焊球之间设有锡银合金层。

7.一种权利要求1-5任一项所述的晶圆级芯片封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

在硅承载层上开设凹槽，在凹槽内设有铝层，在所述硅承载层上设有钝化层，所述钝化层在铝层上形成开口；

在所述钝化层及开口下方的铝层上形成附着层；

在所述附着层上先涂覆光阻材料，然后感光使光阻材料上形成用于暴露附着层的开口；

在暴露附着层的开口形成再布线层；

去除光阻材料；

在再布线层和附着层上涂覆光阻材料或形成干膜，然后感光使光阻材料或干膜上形成用于暴露再布线层的开口；

在暴露再布线层的开口形成金属凸点，在金属凸点的上表面形成阻挡层，在阻挡层上形成铜层；

去除光阻材料或干膜；

去除附着层；

将金属凸点、阻挡层和金属层的周围、再布线层上及钝化层上使用塑封料进行塑封，形成塑封层；

对塑封料进行打磨减薄，裸露出铜层的上表面，使阻挡层的下表面位于所述塑封层的上表面以下；

蚀刻铜层，裸露出阻挡层，然后在阻挡层上设置焊球。

8.一种权利要求1-6任一项所述的晶圆级芯片封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

在硅承载层上开设凹槽，在凹槽内设有铝层，在所述硅承载层上设有钝化层，所述钝化层在铝层上形成开口；

在所述钝化层及开口下方的铝层上形成附着层；

在所述附着层上先涂覆光阻材料，然后感光使光阻材料上形成用于暴露附着层的开口；

在暴露附着层的开口形成再布线层；

去除光阻材料；

在再布线层和附着层上涂覆光阻材料或形成干膜，然后感光使光阻材料或干膜上形成用于暴露再布线层的开口；

在暴露再布线层的开口形成金属凸点，在金属凸点的上表面形成阻挡层，在阻挡层上形成锡银合金层；

去除光阻材料或干膜；

去除附着层；

将金属凸点、阻挡层和锡银合金层的周围、再布线层上及钝化层上使用塑封料进行塑封，形成塑封层；

对塑封料进行打磨减薄，裸露出锡银合金层的上表面，使阻挡层的下表面位于所述塑封层的上表面以下；

在锡银合金层上设置焊球。

9.根据权利要求7或8所述的封装方法，其特征在于，所述再布线层通过电镀的方式形成在暴露附着层的开口上。

10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述金属凸点通过电镀的方式形成在暴露再布线层的开口上。