[发明专利]图像传感器封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种图像传感器封装结构，其特征在于，包括：

图像传感器，具有功能面和背面，所述功能面具有感光区域和非感光区域，所述感光区域上具有像素单元；

空心墙，与所述功能面固定连接，所述空心墙具有通孔，所述感光区域被所述通孔暴露，所述功能面封合所述通孔的其中一个端口；

透明基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面封合所述通孔的另一个端口；

纳米纹路，位于所述第一表面和第二表面的至少其中一个表面，或者位于薄膜，且所述薄膜位于所述第一表面和第二表面的至少其中一个表面；

其中，所述纳米纹路包括多个第一纳米纹组和多个第二纳米纹组，所述第一纳米纹组具有多道第一纳米纹，所述第二纳米纹组具有多道第二纳米纹，所述第一纳米纹沿第一轴向延伸，所述第二纳米纹沿第二轴向延伸，所述第一轴向与所述第二轴向交叉。

2.如权利要求1所述的图像传感器封装结构，其特征在于，所述第一纳米纹组和所述第二纳米纹组呈阵列排布，同一行中和同一列中，所述第一纳米纹组和所述第二纳米纹组均交替排布。

3.如权利要求2所述的图像传感器封装结构，其特征在于，所述第一表面具有第一纳米纹路，所述第二表面具有第二纳米纹路，所述第一纳米纹路的所述第一纳米纹组正对所述第二纳米纹路的所述第一纳米纹组，所述第一纳米纹路的所述第二纳米纹组正对所述第二纳米纹路的所述第二纳米纹组。

4.如权利要求2所述的图像传感器封装结构，其特征在于，所述第一表面具有第一薄膜，所述第二表面具有第二薄膜，所述第一薄膜具有第一纳米纹路，所述第二薄膜具有第二纳米纹路，所述第一纳米纹路的所述第一纳米纹组正对所述第二纳米纹路的所述第一纳米纹组，所述第一纳米纹路的所述第二纳米纹组正对所述第二纳米纹路的所述第二纳米纹组。

5.如权利要求3或4所述的图像传感器封装结构，其特征在于，所述第一纳米纹路的面积大于等于所述第二纳米纹路的面积，所述第二纳米纹路的面积大于等于所述感光区域的面积。

6.如权利要求1所述的图像传感器封装结构，其特征在于，所述纳米纹路包括多个纳米纹组，每个纳米纹组包括多个相互平行的纳米纹，不同纳米纹组的纳米纹沿不同轴向延伸。

7.一种图像传感器封装结构的封装方法，其特征在于，包括：

提供透明基板，所述透明基板具有相对的第一表面和第二表面；

提供空心墙，所述空心墙具有通孔；

提供晶圆，所述晶圆具有多个图像传感器单元，所述图像传感器单元相互之间具有切割道，每个所述图像传感器单元具有功能面和背面，所述功能面具有感光区域和非感光区域，所述感光区域上具有像素单元；

将所述空心墙固定在所述图像传感器单元的所述功能面上，所述感光区域被所述通孔暴露，并使所述功能面封合所述通孔的其中一个端口；

将所述透明基板固定在所述空心墙上，并使所述第二表面封合所述通孔的另一个端口；

在所述第一表面和第二表面的至少其中一个表面上制作纳米纹路，所述纳米纹路直接制作在所述第一表面和第二表面，或者所述纳米纹路制作在薄膜表面，并且所述薄膜设置于所述第一表面和第二表面的至少其中一个表面；其中，所述纳米纹路包括多个第一纳米纹组和多个第二纳米纹组，所述第一纳米纹组具有多道第一纳米纹，所述第二纳米纹组具有多道第二纳米纹，所述第一纳米纹沿第一轴向延伸，所述第二纳米纹沿第二轴向延伸，所述第一轴向与第二轴向交叉；

沿所述切割道切割所述晶圆和所述空心墙。

8.如权利要求7所述的图像传感器封装结构的封装方法，其特征在于，在所述第一表面和第二表面的至少其中一个表面上制作所述纳米纹路包括：

在所述第一表面和第二表面的至少其中一个表面上制作所述薄膜；

对所述薄膜进行光刻，形成所述纳米纹路。

9.如权利要求8所述的图像传感器封装结构的封装方法，其特征在于，采用无掩膜光刻直写设备或者纳米图形光刻设备对所述薄膜进行所述光刻。

10.如权利要求7所述的图像传感器封装结构的封装方法，其特征在于，所述第一纳米纹组和所述第二纳米纹组呈阵列排布，同一行中和同一列中，所述第一纳米纹组和所述第二纳米纹组均交替排布。