[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1半导体元件，其搭载在第1电路图案上，具有第1一个以及另一个电极区域；以及

第2半导体元件，其相对于所述第1半导体元件独立地搭载在第2电路图案上，具有第2一个以及另一个电极区域，

所述第1半导体元件的所述第1一个电极区域及所述第2半导体元件的所述第2另一个电极区域电连接于中间连接点，

所述第1以及第2半导体元件中的至少一个半导体元件是二极管，

在所述第1半导体元件为二极管的情况下，所述第1一个电极区域为正极区域，所述第1另一个电极区域为负极区域，在所述第2半导体元件为二极管的情况下，所述第2一个电极区域为正极区域，所述第2另一个电极区域为负极区域，

在所述第1半导体元件为IGBT的情况下，所述第1一个电极区域为发射极区域，所述第1另一个电极区域为集电极区域，在所述第2半导体元件为IGBT的情况下，所述第2一个电极区域为发射极区域，所述第2另一个电极区域为集电极区域，

以所述第1一个电极区域相对于所述第1另一个电极区域的第1上下关系、与所述第2另一个电极区域相对于所述第2一个电极区域的第2上下关系一致的方式，形成所述第1以及第2半导体元件。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1以及第2半导体元件是第1以及第2二极管，

从所述中间连接点至所述第1另一个电极区域进行电气流通。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1以及第2电路图案彼此独立地设置，

所述第1以及第2上下关系包含所述第1一个电极区域以及所述第2另一个电极区域均配置于上方的上下关系，所述第1一个电极区域以及所述第2另一个电极区域间通过设置于上方的导电部件而电连接。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第1以及第2电路图案包含相同的共同电路图案，

所述第1以及第2上下关系包含所述第1一个电极区域以及所述第2另一个电极区域均配置于下方的上下关系，所述第1一个电极区域以及所述第2另一个电极区域间经由设置于所述共同电路图案的表面的电连接部而电连接。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第1二极管包含多个第1二极管，

所述第2二极管包含与所述多个第1二极管相对应地设置的多个第2二极管，

所述中间连接点包含与所述多个第1以及第2二极管相对应地设置的多个中间连接点。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第1二极管包含多个第1二极管，

所述第2二极管包含与所述多个第1二极管相对应地设置的多个第2二极管，

所述中间连接点包含与所述多个第1以及第2二极管相对应地设置的多个中间连接点。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1半导体元件是IGBT，所述第2半导体元件是二极管，

从所述第1另一个电极区域至所述中间连接点进行电气流通，

所述第1以及第2电路图案彼此独立地设置，

所述第1以及第2上下关系包含所述第1一个电极区域以及所述第2另一个电极区域均配置于上方的上下关系，所述第1一个电极区域以及所述第2另一个电极区域间通过设置于上方的导电部件而电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1半导体元件是二极管，所述第2半导体元件是IGBT，

从所述中间连接点至所述第1另一个电极区域进行电气流通，

所述第1以及第2电路图案包含相同的共同电路图案，

所述第1以及第2上下关系包含所述第1一个电极区域以及所述第2另一个电极区域均配置于下方的上下关系，所述第1一个电极区域以及所述第2另一个电极区域间通过设置于所述共同电路图案的表面的电连接部而电连接。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1以及第2半导体元件利用宽带隙材料而形成。