[发明专利]分析装置和校正方法有效
申请号: | 201510257968.7 | 申请日: | 2015-05-19 |
公开(公告)号: | CN105092624B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 水野裕介;青山朋树 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场制作所 |
主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王玉玲;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分析 装置 校正 方法 | ||
1.一种分析装置,根据从颗粒状物质产生的荧光X射线进行所述颗粒状物质的成分分析,所述分析装置的特征在于,包括:
照射部,在大气气氛中,照射用于激发所述颗粒状物质使其产生荧光X射线的一次X射线;
检测部,检测通过照射所述一次X射线而产生并通过所述大气气氛中的二次X射线强度;
环境测定部,对定义大气气氛的环境参数进行测定;
随时间变化量计算部,根据所述环境测定部在第1定时测定的第1环境参数、所述检测部在所述第1定时检测的第1二次X射线强度、所述环境测定部在所述第1定时的规定时间之前的第2定时测定的第2环境参数、和所述检测部在所述第2定时检测的第2二次X射线强度,计算所述第1定时与所述第2定时之间的、随时间变化的二次X射线强度的变化量或变化率;以及
用于捕集所述颗粒状物质的捕集过滤器,
所述第1二次X射线和所述第2二次X射线中的至少一方是通过对所述捕集过滤器照射所述一次X射线而产生的散射二次X射线。
2.根据权利要求1所述的分析装置,其特征在于,
所述第1二次X射线强度和所述第2二次X射线强度,是通过对所述捕集过滤器的无捕集区域或对进行量程校正的量程校正用基材一起配置的所述捕集过滤器照射所述一次X射线而产生的散射二次X射线的强度。
3.一种校正方法,是根据通过对颗粒状物质照射一次X射线产生的荧光X射线进行所述颗粒状物质的成分分析的分析装置的校正方法,所述校正方法的特征在于,包括:
在第1定时测定第1环境参数的步骤;
在所述第1定时测定第1二次X射线强度的步骤;
在所述第1定时的规定时间之前的第2定时测定第2环境参数的步骤;
在所述第2定时测定第2二次X射线强度的步骤;以及
根据所述第1环境参数、所述第1二次X射线强度、所述第2环境参数、所述第2二次X射线强度,计算第1定时与第2定时之间的、随时间变化的二次X射线强度的变化量或变化率的步骤,
所述第1二次X射线和所述第2二次X射线中的至少一方是通过对用于捕集所述颗粒状物质的捕集过滤器照射所述一次X射线而产生的散射二次X射线。
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