[发明专利]可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管有效
| 申请号： | 201510258512.2 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104835859B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;赵向阳;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/41 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 黄辉本 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏置 混频 gaas 赫兹 肖特基 二极管 | ||
1.一种可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，所述二极管包括位于衬底(1)上的第一金属电极组件(2)、第二金属电极组件(3)、第一二极管组件(4)和第二二极管组件(5)，所述第一二极管组件(4)和第二二极管组件(5)位于第一金属电极组件(2)和第二金属电极组件(3)之间，所述第一金属电极组件(2)和第二金属电极组件(3)从下到上为第一重掺杂GaAs层(6)、第一低掺杂GaAs层(7)、第一二氧化硅层(8)和第一金属电极层(9)，所述第一金属电极层(9)内嵌于所述第一重掺杂GaAs层(6)、第一低掺杂GaAs层(7)和第一二氧化硅层(8)，且第一金属电极层(9)上表面的高度大于第一二氧化硅层(8)上表面的高度，第一肖特基接触金属层(10)内嵌于所述第一二氧化硅层(8)，且第一肖特基接触金属层(10)与第一低掺杂GaAs层(7)相接触；所述第一二极管组件(4)和第二二极管组件(5)从下到上为第二重掺杂GaAs层(11)、第二低掺杂GaAs层(12)、第二二氧化硅层(13)和第二金属电极层(14)，所述第二金属电极层(14)内嵌于所述第二重掺杂GaAs层(11)、第二低掺杂GaAs层(12)和第二二氧化硅层(13)，且第二金属电极层(14)上表面的高度大于第二二氧化硅层(13)上表面的高度，第二肖特基接触金属层(15)内嵌于所述第二二氧化硅层(13)，且第二肖特基接触金属层(15)与第二低掺杂GaAs层(12)相接触；
其特征在于：所述第二金属电极组件(3)沿左右方向被分割成两个分电极组件，所述第一金属电极组件(2)上的第一金属电极层(9)通过金属空气桥(16)与第一二极管组件(4)上的第二肖特基接触金属层(15)连接，所述第一二极管组件(4)上的第二金属电极层(14)与第一分电极组件(31)上的第一肖特基接触金属层(10)通过金属空气桥(16)连接，第二分电极组件(32)上的第一金属电极层(9)通过金属空气桥(16)与第二二极管组件(5)上的第二肖特基接触金属层(15)连接，所述第二二极管组件(5)上的第二金属电极层(14)通过金属空气桥(16)与第一金属电极组件(2)上的第一肖特基接触金属层(10)连接；其中，低掺杂GaAs层和重掺杂GaAs层的掺杂元素为Ⅳ族元素，重掺杂GaAs层掺杂浓度为1018cm-3量级，低掺杂GaAs层掺杂浓度为1×1016cm-3到5×1017cm-3。
2.根据权利要求1所述的可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述第一重掺杂GaAs层(6)和第二重掺杂GaAs层(11)的四周设有钝化层(17)，所述钝化层(17)的高度低于第一和第二重掺杂GaAs层的高度。
3.根据权利要求1所述的可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述第一金属电极层(9)和第二金属电极层(14)包括位于下层的欧姆接触层(18)和位于上层的金属加厚层(19)。
4.根据权利要求3所述的可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述欧姆接触层(18)为多层结构，自下到上为Ni层、Au层、Ge层、Ni层、Au层。
5.根据权利要求1所述的可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述第一肖特基接触金属层(10)和第二肖特基接触金属层(15)为多层结构，自下到上为Ti层、Pt层、Au层。
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