[发明专利]一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法在审
| 申请号： | 201510259349.1 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104849967A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 信会菊;卫路兵;郎刚平;王冰 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710068 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 能够 消除 光刻 显影 缺陷 方法 | ||
1.一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：采用清洗液对晶圆片进行冲洗，冲洗后对晶圆片表面浸润；
步骤二：对步骤一处理后的晶圆片喷涂显影液，然后显影；
步骤三：采用清洗液对步骤二处理后的晶圆片进行冲洗；
步骤四：将经步骤三处理后的晶圆片甩干。
2.根据权利要求1所述的一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，步骤一和步骤三中所采用的清洗液均为超纯水；步骤二中采用的显影液为FHD-5。
3.根据权利要求2所述的一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，所述超纯水的电阻率＞18.0MΩ·cm，大于等于0.1μm的颗粒＜3pcl/mL，总有机碳＜10μg/L，细菌总数≤1cfu/L。
4.根据权利要求2所述的一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，步骤一和步骤三中冲洗的过程中超纯水的流量为0.8～1.2L/min。
5.根据权利要求2所述的一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，步骤二中喷涂显影液的过程中显影液的流量为0.55～0.85L/min。
6.根据权利要求1所述的一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，步骤一和步骤三中的冲洗以及步骤二中喷涂显影液均采用TEL MARK Vz型显影机。
7.根据权利要求1所述的一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，步骤一中冲洗时间为3～5s，冲洗时晶圆片的转速为60～1000rpm。
8.根据权利要求1所述的一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，步骤一中浸润时间为1～2s，浸润时晶圆片转速为20～30rpm。
9.根据权利要求1所述的一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，步骤二中显影液喷涂时间为3～5s，喷涂过程中晶圆片的转速为50～60rpm。
10.根据权利要求1所述的一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，其特征在于，步骤三中冲洗时间为15～20s，冲洗时晶圆片的转速为500～2000rpm。
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