[发明专利]液晶显示装置及其公共电压补偿方法有效

专利信息
申请号: 201510259547.8 申请日: 2015-05-20
公开(公告)号: CN104900201B 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 戴文君;李亚锋;谢颖颖 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司31264 代理人: 王春丽
地址: 215301 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 及其 公共 电压 补偿 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,特别涉及一种液晶显示装置及其公共电压补偿方法。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点,目前在平板显示领域占主导地位,液晶显示装置非常适合应用在台式计算机、掌上型计算机、个人数字助理(Personal Digital Assignment,PDA)、便携式电话、电视和多种办公自动化和视听设备中。

液晶显示面板是液晶显示装置的重要组成部分,图1A是现有的液晶显示面板的局部结构示意图,如图1A所示,在液晶显示面板5中,显示区域的画面显示需要栅极扫描信号和数据信号的驱动,而栅极扫描信号是来自显示区域外的栅极驱动器10,数据信号是来自显示区域外的源极驱动器11。栅极驱动器10与显示区域的栅极线13通过栅连接线15连接,源极驱动器11与显示区域的数据线17之间通过数据连接线19连接。栅连接线15或数据连接线19的布置一般采取八字形排布,使得这些连接线的长度存在差异。其中,位于中间的连接线最短,位于两侧的连接线的长度最长。因而这些连接线的电阻大小也存在差异。同时各条栅极线13和数据线17与液晶显示面板的层间也会存在着大量的电容。各条栅极线与栅连接线的导线电阻的差异、各条数据线与数据连接线的导线电阻的差异、以及层间电容的存在会产生电阻电容效应(RC Effect)。尤其是,各条栅极线与栅连接线产生的电阻电容效应会使晶体管栅源极之间存在寄生电容,并且沿各条栅极线与数据线方向的寄生电容不同,进而造成沿各条栅极线与数据线方向的公共电极的电位(公共电压)出现偏移现象,使沿各条栅极线与数据线方向的公共电压升高或降低,例如,如图1B所示,液晶显示面板沿栅极线走线方向的公共电压分布不均匀,a-l曲线分别表示沿着栅极线方向的公共电压分布曲线,图1B中,从左往右即是沿着栅极线方向,从图1B可以看出,从左往右公共电压呈现上升趋势。如图1C所示,a-l曲线分别表示沿着数据线方向的公共电压分布曲线,由于液晶显示面板的栅连接线的电阻电容效应影响,造成液晶显示面板沿数据线走线方向即沿纵向的公共电压分布不均匀。而上述由于栅极线或栅连接线的电阻电容效应引起不同位置处的公共电压的分布不均匀现象将会造成液晶显示面板显示不均匀、出现残像、显示灰阶异常以及串音等现象,影响画面显示的品质,从而降低了液晶显示面板的显示效果。

发明内容

本发明提供一种液晶显示装置及其公共电压补偿方法,解决上述液晶显示装置因不同位置处的公共电压分布不均匀现象而影响画面显示品质等问题。

所述技术方案如下:

本发明实施例提供了一种公共电压补偿方法,适用于一液晶显示面板,液晶显示面板包括多条栅极线及与多条栅极线相互交叉的多条数据线,方法,包括:对液晶显示面板的显示区域模拟m条与栅极线平行的横向线和与m条横向线交叉且与数据线平行的n条竖向线,并将显示区域划分为n*m个区域,m条横向线和n条竖向线相交有n*m个交点,其中,m、n为大于0的整数;模拟n*m个交点位置处的公共电压,根据模拟的对应n*m个交点位置处的公共电压得到对应n*m个交点位置处的栅源极寄生电容;根据计算的对应n*m个交点位置处的栅源极寄生电容,得到对应n*m个交点位置处的补偿电容值;根据对应n*m个交点位置处的补偿电容值重新计算出对应n*m个交点位置处的公共电压;以及判断横向线上相邻交点位置处的公共电压之间差值和竖向线上相邻交点位置处的公共电压之间差值之和的平均值是否小于标准值,若是,则根据对应n*m个交点位置处的补偿电容值对液晶显示装置中对应n*m个交点位置处的栅源极寄生电容进行补偿,以使n*m个交点位置处的公共电压分布均匀。

在本发明的一个实施例中,判断横向线上相邻交点位置处的公共电压之间差值和竖向线上相邻交点位置处的公共电压之间差值之和的平均值是否小于标准值,包括:若否,则重新计算得到对应n*m个交点位置处的新的寄生电容,并根据计算的对应n*m个交点位置处的新的寄生电容,进行根据计算的对应n*m个交点位置处的栅源极寄生电容,得到对应n*m个交点位置处的补偿电容值的步骤。

在本发明的一个实施例中,根据计算的对应n*m个交点位置处的栅源极寄生电容,得到对应n*m个交点位置处的补偿电容值,包括:根据计算的对应n*m个交点位置处的栅源极寄生电容得到寄生电容最大值,并求出对应n*m个交点位置处的栅源极寄生电容与栅源极寄生电容最大值之间的差值,即对应n*m个交点位置处的补偿电容值。

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