[发明专利]发光设备及其制造方法

权利要求书

1.一种制造发光设备的方法，其包括：

在生长衬底上生长n型氮化物半导体层；

在n型氮化物半导体层上生长活性层；

通过在第一温度下向腔室引入III族元素源、V族元素源和p型掺杂物来在活性层上生长p型氮化物半导体层；

将腔室内部从第一温度冷却至第二温度，

其中在腔室内部从第一温度至第二温度的冷却过程的至少一部分中将p型掺杂物引入腔室。

2.如权利要求1所述的方法，其中将腔室内部从第一温度冷却至第二温度包括在p型氮化物半导体层上生长包含p型掺杂物的扩散阻挡层。

3.如权利要求2所述的方法，其中p型掺杂物包括Mg，扩散阻挡层包括Mg和Mg_xN_y中的至少一个。

4.如权利要求2所述的方法，其包括：

在将腔室内部从第一温度冷却至第二温度的过程中停止向腔室引入III族元素源，并且保持引入V族元素源。

5.如权利要求2所述的方法，其进一步包括：

在将腔室内部冷却至第二温度之后，将腔室内部维持在第二温度预定时间，

其中在腔室内部维持在第二温度的预定时间的至少一部分中将p型掺杂物引入腔室，以及

其中，在将腔室内部维持在第二温度的期间继续生长扩散阻挡层。

6.如权利要求5所述的方法，其中在冷却过程和维持过程期间持续引入V族元素源，且

在p型氮化物半导体层的生长过程中引入的V族元素源的流速高于或等于扩散阻挡层生长过程中引入的V族元素源的流速。

7.如权利要求6所述的方法，其中p型氮化物半导体层生长过程中引入的p型掺杂物的流速高于或等于扩散阻挡层生长过程中引入的p型掺杂物的流速。

8.如权利要求6所述的方法，其中在扩散阻挡层的生长过程中，p型掺杂物在多脉冲模式下被引入到腔室中，并且

扩散阻挡层包括其中具有第一浓度的Mg的Mg_xN_y层和具有第二浓度的Mg的Mg_xN_y层多次堆叠的结构，第一浓度大于第二浓度。

9.如权利要求6所述的方法，其中在扩散阻挡层的生长过程中，III族元素源和p型掺杂物在多脉冲模式下被引入到腔室中，并且

扩散阻挡层包括其中Mg_xN_y层和GaN层多次堆叠的结构。

10.如权利要求2所述的方法，其进一步包括：在将腔室内部从第一温度冷却至第二温度的过程中，至少在将p型掺杂物引入腔室这段时期的至少一部分中逐渐降低III族元素源的流速。

11.如权利要求5所述的方法，其中在将腔室内部维持在第二温度期间，至少在将p型掺杂物引入腔室这段时期的至少一部分中以多脉冲模式将III族元素源引入腔室中，且

在该多脉冲模式中，后续的脉冲具有比前一脉冲更短的持续时间。

12.如权利要求2所述的方法，其中在p型氮化物半导体层的生长过程中，提高p型掺杂物的流速，使得p型氮化物半导体层包括p型氮化物半导体层和p+型氮化物半导体层。