[发明专利]可调式镜射比率的电流镜有效
申请号: | 201510260962.5 | 申请日: | 2015-05-21 |
公开(公告)号: | CN106292831B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 吴宪宏 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调式 比率 电流 | ||
1.一种电流镜,包括:
一电流源,用以产生一参考电流;
一镜射电路,具有一第一节点及一第二节点,该第一节点用以使一第一镜射电流通过,该第二节点用以使一第二镜射电流通过;
一回馈电路,耦接至该镜射电路,用以使该第一节点及该第二节点上的电压相等;以及
一可调整元件,耦接至该镜射电路,并由该回馈电路的一输出所驱动以提供一目标输出电流;
其中,该可调整元件包括:
一第一输出晶体管,耦接至该第二节点,用以输出该目标输出电流;
一第二输出晶体管,耦接至该第二节点,并由一运算放大器的输出所驱动;以及
一可调整电压源,耦接至该第一输出晶体管的栅极端与该第二输出晶体管的栅极端之间,用以产生一偏移电压以提供该目标输出电流。
2.根据权利要求1所述的电流镜,其中该可调整电压源根据一载流子迁移率、一单位区域的栅极氧化电容、该第一输出晶体管及该第二输出晶体管的一宽长比、该目标输出电流、该参考电流、及该第一输出晶体管的M因子及该第二输出晶体管的M因子产生该偏移电压;
且根据该目标输出电流、该参考电流、该第一输出晶体管的M因子及该第二输出晶体管的M因子配置该可调整电压源的一极性,其中该可调整电压源产生一室温偏移电压,该室温偏移电压在室温下提供该目标输出电流,以及一温度相依偏移电压,以补偿由于一温度变化所产生的该目标输出电流的变化。
3.根据权利要求2所述的电流镜,其中该可调整电压源根据一单位区域的栅极氧化电容、该第一输出晶体管及该第二输出晶体管的一宽长比、一室温载流子迁移率、该目标输出电流、该参考电流、该第一输出晶体管的M因子及该第二输出晶体管的M因子产生该室温偏移电压,该单位区域的栅极氧化电容及该室温载流子迁移率至少其中之一随着不同的工艺转角而改变;以及
该可调整电压源根据该室温偏移电压、一操作温度与一室温的一差异、及一温度系数产生该温度相依偏移电压,其中该温度系数是根据一载流子迁移率的一温度指数及该室温所决定。
4.根据权利要求1所述的电流镜,其中该可调整电压源所产生的该偏移电压为温度独立,以及
该电流源所产生的该参考电流为温度相依,以补偿由于一温度变化所产生的该目标输出电流的变化,且其中该电流源产生一室温参考电流及一温度相依参考电流,该电流源根据该室温参考电流、一操作温度与一室温的一差异、及一温度系数产生该温度相依参考电流,以及
该温度系数相关于一载流子迁移率的一温度指数、该室温、该参考电流、该目标输出电流、该载流子迁移率、一单位区域的栅极氧化电容、该第一输出晶体管的M因子、及该第二输出晶体管的M因子。
5.根据权利要求1所述的电流镜,其中该镜射电路包括一第一镜射晶体管及一第二镜射晶体管,该第一镜射晶体管耦接至该第一节点,该第二镜射晶体管耦接至该第二节点,
该第一镜射晶体管的M因子及该第二镜射晶体管的M因子是用以补偿室温下的该参考电流的一偏移。
6.一种透过一电流镜产生一目标输出电流的方法,包括:
提供该电流镜,包含:
一电流源,用以产生一参考电流;
一镜射电路,具有一第一节点及一第二节点,该第一节点用以使一第一镜射电流通过,该第二节点用以使一第二镜射电流通过;
一回馈电路,耦接至该镜射电路,用以使该第一节点及该第二节点上的电压相等;以及
一可调整元件,耦接至该镜射电路,并由该回馈电路的一输出所驱动以提供一目标输出电流;
其中,该可调整元件更包含:
提供一第一输出晶体管,耦接至该第二节点,用以输出该目标输出电流;
提供一第二输出晶体管,耦接至该第二节点,并由一运算放大器的输出所驱动;以及
提供一可调整电压源,耦接至该第一输出晶体管的栅极端与该第二输出晶体管的栅极端之间,用以产生一偏移电压。
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