[发明专利]一种半桥驱动电路的隔离封装架构

权利要求书

1.一种半桥驱动电路的隔离封装架构，其特征在于：包括半桥驱动电路本体、引线框架和塑封体，将所述半桥驱动电路本体分割成两个模块，第一模块是工作在VCC~GND电源域的逻辑处理电路、脉冲产生电路、超高压NMOS晶体管和低边驱动电路，第二模块是工作在VB~VS电源域的RS触发器、负载电阻和高边驱动电路，所述第一模块采用UHV工艺集成为第一集成块，并在第一集成块上引出两个第一焊盘，所述第二模块采用HV工艺集成为第二集成块，并在第二集成块上引出两个第二焊盘；所述第一集成块和第二集成块并列设置在所述引线框架表面的相应位置上，并通过双芯片封装技术将包含有第一集成块和第二集成块的引线框架封装在所述塑封体内，所述第一焊盘和第二焊盘之间通过导线相连。

2.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路的隔离封装架构，其特征在于，所述第一焊盘是从第一集成块上的超高压NMOS晶体管的漏极引出，所述第二焊盘是从第二集成块上负载电阻与RS触发器相连的那端引出。

3.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路的隔离封装架构，其特征在于，所述引线框架为包含双基岛的引线框架，所述第一集成块和第二集成块分别设置在左基岛和右基岛上。

4.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路的隔离封装架构，其特征在于，所述超高压NMOS晶体管为N沟道增强型MOS晶体管。

5.如权利要求1所述的一种半桥驱动电路的隔离封装架构，其特征在于，所述HV工艺具体为30V HV工艺。