[发明专利]一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法

权利要求书

1.一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法，其步骤如下：

(1)将待测样品置于ITO导电玻璃底电极上，用10～40μm厚的云母片覆盖待测样品，再在云母片上覆盖上电极；在光电压样品池内，ITO导电玻璃底电极通过样品池导线连出接地，上电极通过样品池导线连出接锁相放大器的信号输入端，锁相放大器的信号输出端连接计算机；

(2)打开光源，使调制光与非调制光同时照射到待测样品上，待测样品底电极和上电极间产生的光电压信号经锁相放大器放大后，输入计算机，由计算机记录待测样品的光电压信号强度值，进而实现对待测样品表面光电压的测量；

其中，激光器或LED发出的波长300～1000nm、光强0.1mW/cm²～100mW/cm²的单色光作为非调制光；氙灯通过单色仪后分散出来的波长1000～200nm的单色光再通过斩波器后获得的频率为10～2000Hz的光作为调制光；具体测量时非调制光的波长和调制光的具体扫描范围根据待量样品的带隙确定，光子能量必须可以激发半导体产生光生电子空穴对。

2.如权利要求1所述的一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法，其特征在于：待测样品是有机、无机或有机无机复合半导体光电材料。

3.如权利要求2所述的一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法，其特征在于：有机半导体光电材料为杂多酸、卟啉、酞菁或苝类化合物；无机半导体光电材料为二氧化钛、氧化锌、硫化镉、钛酸锶或三氧化二铁；有机无机复合半导体为二氧化钛硫化镉复合材料或二氧化钛卟啉复合材料。

4.如权利要求1所述的一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法，其特征在于：待测样品是粉末、单晶或薄膜。

5.如权利要求1所述的一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法，其特征在于：上电极是ITO或Pt金属网。

6.如权利要求1所述的一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法，其特征在于：调制光从上电极照射待测样品的正面，非调制光从上电极照射待测样品的正面或从底电极照射待测样品的背面。