[发明专利]声波装置

说明书

一种声波装置包括：IDT，其设置在压电基板上；格栅，其设置在IDT的两侧，其中：声波的逆速度面具有凹型；所述格栅的电极指的占空比大于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度大于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度大于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指的节距小于IDT的电极指的节距；所述格栅的谐振频率与IDT的谐振频率基本上相同。

技术领域

本发明的某个方面涉及声波装置，特别地，涉及具有IDT的声波装置。

背景技术

近来，在以智能电话或移动电话为代表的移动通信装置中发展了高性能。例如，操纵从第三代系统快速转变成LTE(长期演进)。在LTE中，以较高速度执行大容量的数据通信。因此，高频分量所要求的规格变高。正要求的是使用声波装置减少滤波器或双工器的插入损耗。存在诸如表面声波装置的在压电基板上设置IDT(叉指换能器)的声波装置作为移动通信装置等中使用的声波装置。

日本专利申请公开No.2000-341073、No.2003-87083、No.2008-113273、No.11-298286和No.2013-518455公开了在表面声波装置中的IDT的开口方向上的IDT两侧设置格栅。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种声波装置，所述声波装置包括：IDT，其设置在压电基板上并且激发声波；格栅，其设置在IDT的开口方向上的IDT的两侧，其中：在IDT的电极指彼此交叉的区域中在主传播方向上的声波的逆速度面(slowness surface)具有凹型；所述格栅的电极指的占空比大于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度大于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度大于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指的节距小于IDT的电极指的节距；所述格栅的谐振频率与IDT的谐振频率基本上相同。

根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，所述声波装置包括：IDT，其设置在压电基板上并且激发声波；格栅，其设置在IDT的开口方向上的IDT的两侧，其中：在IDT的电极指彼此交叉的区域中在主传播方向上的声波的逆速度面具有凹型；所述格栅的电极指的占空比大于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度大于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度大于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指的节距小于IDT的电极指的节距；所述格栅的电极指和IDT的电极指借助弯曲区域彼此连接。

根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，所述声波装置包括：IDT，其设置在压电基板上并且激发声波；格栅，其设置在IDT的开口方向上的IDT的两侧，其中：在IDT的电极指彼此交叉的区域中在主传播方向上的声波的逆速度面具有凹型；所述格栅的电极指的占空比大于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度大于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度大于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指相对于所述开口方向倾斜。

根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，所述声波装置包括：IDT，其设置在压电基板上并且激发声波；格栅，其设置在IDT的开口方向上的IDT的两侧，其中：在IDT的电极指彼此交叉的区域中在主传播方向上的声波的逆速度面具有凸型；所述格栅的电极指的占空比小于IDT的电极指的占空比，或者所述格栅的电极指的厚度小于IDT的电极指的厚度，或者设置在格栅的电极指上的附加膜的厚度小于设置在IDT的电极指上的附加膜的厚度；所述格栅的电极指的节距大于IDT的电极指的节距；所述格栅的谐振频率与IDT的谐振频率基本上相同。