[发明专利]用于处理半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种用于处理半导体器件的方法，包括：

在半导体本体上方沉积第一金属化材料；

执行加热工艺以便在半导体本体中形成多个区域，每个区域包括第一金属化材料和半导体本体的材料的共晶，其中所述多个区域中的两个或者更多个是非连续的并且被所述半导体本体的部分分隔；以及

在执行所述加热工艺之后，在半导体层上方沉积第二金属化材料以便直接地物理接触至少两个或者更多个非连续的区域和位于其间的半导体本体的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中执行加热工艺以便在半导体本体中形成所述多个区域包括：

执行加热工艺以便在半导体本体中形成包括第一金属化材料和半导体本体的材料的共晶的多个尖刺形区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个尖刺形区域中的至少一个延伸到约100nm到约1μm的深度，所述深度是从半导体本体的表面测量的。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述尖刺形区域中的至少一个具有最接近半导体本体的表面的第一直径和远离半导体本体的表面的第二直径，其中第一直径大于第二直径。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个尖刺形区域中的至少一个在半导体本体的表面处的直径在从约200 nm到约2μm的范围内。

6.根据权利要求2所述的方法，其中在所述多个尖刺形区域中的至少两个相邻的尖刺形区域之间的距离在从约1μm到约100μm的范围内。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个尖刺形区域的密度在从约每100μm² 5个尖刺到约每100μm² 100个尖刺的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在执行加热工艺之后以及在沉积第二金属化材料之前从半导体本体上方去除第一金属化材料的残留物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中第一金属化材料包括在小于或等于约600℃的温度下与半导体本体的材料形成共晶的材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中第一金属化材料具有比第二金属化材料低的功函数。

11.根据权利要求1所述的方法，其中第一金属化材料被如此选择使得第一金属化材料和半导体本体的材料之间的肖特基势垒低于第二金属化材料和半导体本体的材料之间的肖特基势垒。

12.根据权利要求1所述的方法，其中第一金属化材料包括选自材料组的至少一个材料，所述组由以下组成：铝、金-锡、锡、铟。

13.根据权利要求1所述的方法，其中第二金属化材料包括难熔金属或金属合金。

14.根据权利要求1所述的方法，其中第二金属化材料包括势垒层材料。

15.根据权利要求1所述的方法，其中第二金属化材料包括选自材料组的至少一个材料，所述组由以下组成：钛-钨、氮化钛、氮化钽、钛-钽、氮化钛钨、钌。

16.根据权利要求1所述的方法，其中第二金属化材料包括选自材料组的至少一个材料，所述组由以下组成：铜、铝。

17.根据权利要求1所述的方法，其中执行加热工艺以便在半导体本体中形成多个区域包括在约330℃到约480℃的温度下加热。

18.根据权利要求1所述的方法，其中执行加热工艺以便在半导体本体中形成多个区域包括加热约15分钟到约2小时的持续时间。