[发明专利]一种发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括：衬底(10)、和依次覆盖在所述衬底(10)上的缓冲层(20)、无掺杂的GaN层(30)、N型层(40)、多量子阱层(50)、以及P型层(60)，其特征在于，所述多量子阱层(50)为多周期结构，每个所述周期结构包括：量子阱层(51)和覆盖在所述量子阱层(51)上的量子垒层(52)，最靠近所述P型层(60)的所述量子垒层(52)为超晶格结构，所述超晶格结构包括：多个交替生长的Al_xGa_1-xN子层(521)和GaN子层(522)，0＜x＜1，所述Al_xGa_1-xN子层(521)中Al的组分随着生长顺序递变。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述Al_xGa_1-xN子层(521)中Al的组分随着生长顺序递增。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构包括：2～20个交替生长的Al_xGa_1-xN子层(521)和GaN子层(522)。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构生长厚度的取值范围不超过100nm。

5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构为掺杂结构。

6.根据权利要求5所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构中的掺杂元素为硅或者锗，所述超晶格结构中电子浓度的取值范围为10¹⁷～10¹⁸cm^-3。

7.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构的生长温度的取值范围为880°～930°。

8.根据权利要求1-7任一项所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱层(50)中的量子阱层(51)为In_yGa_1-yN，0＜y＜1。

9.根据权利要求1-7任一项所述的外延片，其特征在于，所述缓冲层(20)生长厚度的取值范围为10nm～30nm；

所述无掺杂的GaN层(30)生长厚度的取值范围为1μm～3μm；

所述N型层(40)生长厚度的取值范围为1μm～2μm；

所述P型层(60)生长厚度的取值范围为200nm～1μm。

10.根据权利要求1-7任一项所述的外延片，其特征在于，所述缓冲层(20)的生长温度的取值范围为530°～550°；

所述无掺杂的GaN层(30)的生长温度的取值范围为1070°～1100°；

所述N型层(40)的生长温度的取值范围为1070°～1100°；

所述P型层(60)的生长温度的取值范围为940°～970°。