[发明专利]记忆体装置有效
申请号: | 201510266961.1 | 申请日: | 2015-05-22 |
公开(公告)号: | CN104978988B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 黄圣财;张家璜;吴瑞仁 | 申请(专利权)人: | 江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 223001 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记忆体 装置 及其 驱动 方法 | ||
1.一种记忆体装置,其特征在于,包含:
一记忆体阵列,该记忆体阵列包含配置于多列与至少一行的多个记忆单元,其中,配置于同一行的记忆单元电性耦接至相应的一位线,配置于同一列的记忆单元电性耦接至相应的一字符线,配置于所述列的记忆单元分为n个群组,其中n大于等于2;
一字符线驱动器,用以选择性地致能所述字符线;
n个源极驱动器,分别耦接该n个群组的记忆单元,用以输出n个源极控制信号;
当该n个群组中的一第一群组的任一字符线被致能时,
相应于该第一群组以及其读写次序相邻的一第二群组的所述源极控制信号被相应的源极驱动器控制于一选择准位。
2.根据权利要求1所述的记忆体装置,其特征在于,相应于该第一群组以及该第二群组以外的群组的所述源极控制信号被其相应的所述源极驱动器控制于一偏压准位。
3.根据权利要求2所述的记忆体装置,其特征在于,该偏压准位与该选择准位相异,该选择准位是使所述记忆单元进行读写操作,该偏压准位抑制未处于工作状态下的所述记忆单元的漏电流。
4.根据权利要求3所述的记忆体装置,其特征在于,所述记忆单元中每一者各自包含:
一控制端,其中配置于同一列记忆单元的该控制端共同电性耦接至一相应的该字符线;
一位端,其中配置于同一行记忆单元的该位端共同电性耦接至一相应的该位线;
一偏压端,其中同一群组的记忆单元的该偏压端共同接收各该群组相应的该源极控制信号。
5.根据权利要求4所述的记忆体装置,其特征在于,所述源极驱动器各自包含一逻辑电路与一输出电路;
该逻辑电路控制该输出电路以选择性输出具该偏压准位或该选择准位的该源极控制信号。
6.根据权利要求5所述的记忆体装置,其特征在于,该输出电路包含一反相器或一运算放大器。
7.根据权利要求5所述的记忆体装置,其特征在于,还包含:
一群组控制电路,用以控制所述源极驱动器的所述逻辑电路,使该第一群组及该第二群组中记忆单元的所述偏压端被所述输出电路控制在该选择准位,该第一群组及第二群组以外群组的记忆单元的所述偏压端被所述输出电路控制在该偏压准位。
8.根据权利要求4所述的记忆体装置,其特征在于,所述记忆单元中每一者还包含:
一晶体管,该晶体管的一栅极端电性耦接于该记忆单元的该控制端,该晶体管的一源极端电性耦接至该记忆单元的该偏压端;以及
一记忆元件,该记忆元件的一第一端电性耦接于该记忆单元的该位端,该记忆元件的一第二端电性耦接于该晶体管的一漏极端。
9.根据权利要求4所述的记忆体装置,其特征在于,所述记忆单元中每一者还包含:
一晶体管,该晶体管的一栅极端电性耦接于该记忆单元的该控制端,该晶体管的一漏极端电性耦接于该记忆单元的该位端;以及
一记忆元件,该记忆元件的一第一端电性耦接于该晶体管的一源极端,该记忆元件的一第二端电性耦接于该偏压端。
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