[发明专利]金刚石电极及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510267092.4 申请日: 2015-05-22
公开(公告)号: CN105274488B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 崔容瑄;李瑜基;韩致福 申请(专利权)人: 特赢科技有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;李家浩
地址: 韩国忠*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 金刚石 电极 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造金刚石电极的方法,其特征在于,包括:

通过利用粒度尺寸为100~150μm的打磨介质的打磨工序对基板的表面赋予粗糙度的步骤;

向腔室内注入氢气和碳源气体而在基板表面形成碳化涂层的步骤;

通过调节所述腔室内的氢气、碳源气体和硼源气体的投入比率来调整在所述基板上沉积的金刚石晶体的大小,并且利用热灯丝化学气相沉积(HFCVD)至少分2次以上在所述基板上形成导电性金刚石薄膜的步骤,

在所述形成碳化涂层的步骤中,

在形成所述导电性金刚石薄膜的步骤之前的步骤中,在将所述腔室内基板表面的温度加热至600~700℃的状态下,以100:1.5的比率投入氢气和作为所述碳源气体的甲烷气体来在铌基板上形成碳化铌涂层,

所述形成导电性金刚石薄膜的步骤中,

将作为所述碳源气体的甲烷(CH4)、作为所述硼源气体的TMB(三甲基硼)气体、作为载气的氢气(H2)的投入比率即甲烷:TMB气体:氢气调节为0.5~2.5:3~5:100,以所述导电性金刚石薄膜的厚度每增加1~2μm时中断成膜后重新成膜的方式,至少分2次以上进行成膜。

2.一种金刚石电极,其根据权利要求1所述的方法制造。

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