[发明专利]一种NdGaO3单晶衬底的处理方法

权利要求书

1.一种NdGaO₃单晶衬底的处理方法，其特征在于，所述处理方法至少包括：

1)提供一待处理的NdGaO₃单晶衬底，所述待处理的NdGaO₃单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；

2)将所述待处理的NdGaO₃单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO₃单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；所述酸刻蚀的过程为：首先，配置酸溶液，先将配置质量浓度为40％的氢氟酸，之后将所述氢氟酸与氟化铵以及去离子水以(0.9～1.1)∶(2.9～3.1)∶(99.5～100.5)的体积比混合，形成酸溶液；然后，将待处理的NdGaO₃单晶衬底置于酸溶液中浸泡39～41秒，所述NdGaO₃单晶衬底表面的NdO层和所述酸溶液发生化学反应而溶解；

3)将所述NdGaO₃单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。

2.根据权利要求1所述的NdGaO₃单晶衬底的处理方法，其特征在于：所述步骤3)中进行退火的过程为：首先，以8～12℃/min的升温速率从50℃升温到950℃～1050℃；然后在950℃～1050℃下保温1.5～2.5小时；接着，以4～6℃/min的降温速率从950℃～1050℃降温到500℃，最后自然降温至20℃，完成退火。

3.根据权利要求2所述的NdGaO₃单晶衬底的处理方法，其特征在于：在空气氛围中进行退火的温度范围为1000℃～1050℃。

4.根据权利要求2所述的NdGaO₃单晶衬底的处理方法，其特征在于：在空气氛围中进行退火的时间范围为2～2.5小时。

5.根据权利要求1所述的NdGaO₃单晶衬底的处理方法，其特征在于：所述NdGaO₃单晶衬底在进行处理前后均为赝立方晶体结构。

6.根据权利要求1所述的NdGaO₃单晶衬底的处理方法，其特征在于：所述NdGaO₃单晶衬底为(011)晶面。