[发明专利]像素结构及显示面板有效
申请号: | 201510270555.2 | 申请日: | 2015-05-25 |
公开(公告)号: | CN104865762B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 张名豪;江俊毅 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1345 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 显示 面板 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
一第一基板;
一栅极线,设置于该第一基板上,该栅极线具有一第一侧与一第二侧;
一第一数据线,设置于该第一基板上,其中该第一数据线与该栅极线交错设置;
一第一像素电极,设置于该栅极线的该第一侧;
一第二像素电极,设置于该栅极线的该第二侧;
一第一主动元件,设置于该第一基板上,其中该第一主动元件包括:
一第一栅极,与该栅极线连接;
一第一半导体层,对应该第一栅极并与该第一栅极在一垂直投影方向上至少部分重叠设置;
一第一栅极绝缘层,设置于该第一栅极与该第一半导体层之间;以及
一第一源极与一第一漏极,分别设置于该第一半导体层的两侧,其中该第一源极与该第一数据线连接,且该第一漏极朝向该第二像素电极延伸;
一第二主动元件,设置于该第一基板上,其中该第二主动元件包括:
一第二栅极,与该栅极线连接;
一第二半导体层,对应该第二栅极并与该第二栅极在该垂直投影方向上至少部分重叠设置;
一第二栅极绝缘层,设置于该第二栅极与该第二半导体层之间;以及
一第二源极与一第二漏极,分别设置于该第二半导体层的两侧,其中该第二漏极朝向该第二像素电极延伸;
至少一绝缘层,覆盖该第一主动元件与该第二主动元件,其中该至少一绝缘层具有:
一第一接触洞,暴露出该第一漏极;以及
一第二接触洞,暴露出该第二漏极;
一第一连接电极,具有一第一端与一第二端,该第一连接电极的该第一端经由该第一接触洞与该第一漏极电性连接,且该第一连接电极的该第二端与该第一像素电极电性连接,其中该第一连接电极设置于该绝缘层上并与该第一数据线在该垂直投影方向上重叠;以及
一第二连接电极,设置于该栅极线的该第二侧,其中该第二连接电极与该第二像素电极电性连接并经由该第二接触洞与该第二漏极电性连接。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一漏极与该第二漏极突出于该栅极线的该第二侧,且该第一接触洞与该第二接触洞位于该栅极线的该第二侧。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一漏极、该第二漏极与该第一数据线沿相同方向延伸。
4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一连接电极同时与该第一数据线以及该栅极线在该垂直投影方向上重叠,该第一数据线设置于该栅极线与该第一连接电极的一重叠部分之间,且该第一连接电极未单独与该栅极线在该垂直投影方向上重叠。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,第一连接电极以及该第二连接电极与该第一漏极以及该第二漏极为不同层图案化导电层。
6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一连接电极、该第二连接电极、该第一像素电极与该第二像素电极为同一层图案化导电层。
7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一像素电极与该第二像素电极设置于该至少一绝缘层上。
8.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一连接电极的该第二端与该第一像素电极邻近该第一数据线与该栅极线的该第一侧的一角落连接。
9.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一像素电极为一图案化电极,该图案化电极包括:
至少一主干电极;以及
多条分支电极,其中各该分支电极的一端与该至少一主干电极连接,且两相邻的所述分支电极之间具有一狭缝。
10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,该第一像素电极另包括一辅助电极,与该第一连接电极的该第二端以及一部分的所述分支电极的另一端连接。
11.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一像素电极为一整面电极。
12.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,另包括一第二数据线,设置于该第一基板上,其中该第二源极与该第二数据线电性连接。
13.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第二源极与该第一源极电性连接。
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