[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，是具备对第一导电型半导体区域和第二导电型半导体区域交替重复地进行了配置的并列pn层的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第一形成工序，重复地进行沉积第一导电型的第一半导体层的第一沉积工序，以及将第一导电型杂质和第二导电型杂质分别选择性地导入到所述第一半导体层，而在所述第一半导体层的表面层交替地重复配置第一个第一导电型杂质区和第二导电型杂质区的第一导入工序；以及

热处理工序，通过热处理使所述第一个第一导电型杂质区和所述第二导电型杂质区扩散而形成所述并列pn层，

在所述第一形成工序中，还进行第二导入工序，使第一导电型杂质选择性地导入到最上层的所述第一半导体层的夹在相邻的所述第二导电型杂质区之间的部分，而提高最上层的所述第一半导体层的所述第二导电型杂质区侧部的第一导电型杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二导入工序中，在最上层的所述第一半导体层的夹在相邻的所述第二导电型杂质区之间的部分形成第二个第一导电型杂质区，所述第二个第一导电型杂质区的杂质浓度比所述第一半导体层高，且具有能够抑制由所述热处理引起的所述第二导电型杂质区向所述第一个第一导电型杂质区侧扩散的第一导电型杂质浓度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

至少在针对最上层的所述第一半导体层而进行的所述第一导入工序中，分离地配置所述第一个第一导电型杂质区与所述第二导电型杂质区。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一导入工序中，通过离子注入将所述第二导电型杂质选择性地导入到所述第一半导体层，

在最上层的所述第一半导体层形成所述第二导电型杂质区时，设定所述离子注入的剂量和加速能量，使得所述第二导电型杂质区的深度为所述第一半导体层的深度的1/10以上且1/2以下。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一半导体层的杂质浓度为5×10¹⁵/cm³以上且为1×10¹⁷/cm³以下。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一沉积工序中，在杂质浓度比所述第一导电型半导体区域高，并且具有5×10¹⁵/cm³以上且1×10¹⁷/cm³以下的杂质浓度的第一导电型的第三半导体层上沉积所述第一半导体层，

在所述热处理工序之后，进行从与所述第一半导体层侧相反的一侧研磨所述第三半导体层的薄化工序；以及从所述第三半导体层的研磨后的面的一侧将杂质导入到所述第三半导体层，而形成杂质浓度比所述第三半导体层高的第一导电型或第二导电型的第四半导体层的第三形成工序。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第四半导体层的杂质浓度为1×10¹⁵/cm³以上且为1×10¹⁸/cm³以下。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一沉积工序中，在杂质浓度比所述第一导电型半导体区域高且具有1×10¹⁵/cm³以上且1×10¹⁸/cm³以下的杂质浓度的第一导电型的第四半导体层上沉积所述第一半导体层，

在所述热处理工序之后，进行从与所述第一半导体层侧相反的一侧研磨所述第四半导体层的薄化工序。