[发明专利]密封的磁盘介质外壳

权利要求书

1.一种密封的磁盘介质外壳，包括：

介质外壳结构，所述介质外壳结构由多孔材料形成并包括磁盘介质室和在所述介质外壳结构一侧上的室孔；

一个或多个磁盘介质，所述一个或多个磁盘介质位于所述磁盘介质室内；

类金刚石碳(DLC)涂层，所述类金刚石碳(DLC)涂层在所述介质外壳结构的至少一部分上，利用所述DLC涂层阻止气体分子通过所述介质外壳结构；以及

盖，所述盖附加至所述介质外壳结构并实质地密封所述室孔，其中，预定气体或气体混合物被密封在所述磁盘介质室内。

2.如权利要求1所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述DLC涂层包含非晶碳涂层。

3.如权利要求1所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述DLC涂层延伸遍布所述磁盘介质室的内表面或各表面。

4.如权利要求1所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述DLC涂层延伸遍布所述介质外壳结构的外表面或各表面。

5.如权利要求1所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述磁盘介质室填充有小于大气压的所述预定气体或气体混合物。

6.如权利要求1所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述预定气体或气体混合物包含氦气。

7.如权利要求1所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述盖涂覆有所述DLC涂层。

8.一种密封的磁盘介质外壳，包括：

介质外壳结构，所述介质外壳结构由铝形成并包括磁盘介质室和在所述介质外壳结构一侧上的室孔；

一个或多个磁盘介质，所述一个或多个磁盘介质位于所述磁盘介质室内；

类金刚石碳(DLC)涂层，所述类金刚石碳(DLC)涂层在所述介质外壳结构的至少一部分上，利用所述DLC涂层阻止气体分子通过所述介质外壳结构；

第一盖，所述第一盖附加至所述磁盘介质室内的介质外壳结构并形成第一室，其中，预定气体或气体混合物被密封在所述第一室内；以及

第二盖，所述第二盖附加至所述介质外壳结构并实质地密封所述室孔，其中所述第二盖与所述第一盖间隔开并在所述第一盖和所述第二盖之间形成第二室。

9.如权利要求8所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述DLC涂层包含非晶碳涂层。

10.如权利要求8所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述DLC涂层延伸遍布所述第一室或所述第二室的一个或两者的内表面或各表面。

11.如权利要求8所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述DLC涂层延伸遍布所述介质外壳结构的外表面或各表面。

12.如权利要求8所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述第一室填充有小于大气压的所述预定气体或气体混合物。

13.如权利要求8所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述预定气体或气体混合物包含氦气。

14.如权利要求8所述的密封的磁盘介质外壳，其中所述第一盖或所述第二盖中的一个或两者涂覆有所述DLC涂层。

15.一种制作密封的磁盘介质外壳的方法，包括：

形成多孔材料的介质外壳结构，所述介质外壳结构包括磁盘介质室和在所述介质外壳结构一侧上的室孔；

利用类金刚石碳(DLC)涂层涂覆所述介质外壳结构的至少一部分，利用所述DLC涂层阻止气体分子通过所述介质外壳结构；

在所述磁盘介质室中提供一个或多个磁盘介质；以及

将盖附加至所述介质外壳结构并实质地密封所述室孔，其中，预定气体或气体混合物被密封在所述磁盘介质室内。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述DLC涂层包含非晶碳涂层。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述DLC涂层延伸遍布所述磁盘介质室的内表面或各表面。

18.如权利要求15所述的方法，其中所述DLC涂层延伸遍布所述介质外壳结构的外表面或各表面。

19.如权利要求15所述的方法，其中所述磁盘介质室填充有小于大气压的所述预定气体或气体混合物。

20.如权利要求15所述的方法，其中所述预定气体或气体混合物包含氦气。