[发明专利]一种接触孔形成方法

权利要求书

1.一种接触孔形成方法，其特征在于，包括：

将一待接触孔刻蚀的半导体衬底送入刻蚀设备的刻蚀腔，所述半导体衬底的表面上依次形成有刻蚀阻挡层、层间介质层、含碳硬掩膜层以及图案化的光刻胶；

在所述刻蚀设备的刻蚀腔中，以图案化的光刻胶为掩膜，对所述含碳硬掩膜层和层间介质层依次进行接触孔刻蚀，以在所述层间介质层中形成初始接触孔；

在所述刻蚀设备的刻蚀腔中，对形成初始接触孔后的器件表面进行第一次去胶，以去除所述图案化的光刻胶和含碳硬掩膜层；

在所述刻蚀设备的刻蚀腔中，以剩余的层间介质层为掩膜，去除所述接触孔底部的刻蚀阻挡层，形成接触孔；

在所述刻蚀设备的刻蚀腔中，对接触孔的内表面进行第二次去胶；

在湿法清洗机台中对第二次去胶后的器件表面进行湿法清洗。

2.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为前端器件，包括基底、位于所述基底上的栅极和侧墙结构以及形成于所述栅极两侧的基底中的源/漏区；所述刻蚀阻挡层覆盖所述栅极与所述源/漏区。

3.如权利要求2所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述栅极和/或所述源/漏区上形成有自对准金属硅化物，所述接触孔形成于所述自对准金属硅化物上且底部暴露所述自对准金属硅化物表面。

4.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述含碳硬掩膜层的材料不同于所述光刻胶，包括含碳有机介质层、无定形碳层、APF、含碳氮化物和碳化硅中的至少一种；和/或，所述刻蚀阻挡层的材料为NDC或者氮化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述含碳硬掩膜层和所述图案化的光刻胶之间还依次形成有覆盖层、电介质抗反射涂层、底部抗反射涂层。

6.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述图案化的光刻胶层在所述半导体衬底送入刻蚀设备的刻蚀腔之前形成，或者在所述半导体衬底送入刻蚀设备的刻蚀腔之后形成。

7.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述第一次去胶为等离子去胶或氧化去胶，去胶工艺参数包括：工艺试剂为O₂或者CO₂或者CO，流量为50sccm～500sccm；工艺温度为0℃～50℃，工艺时间为30s～300s，功率为200w～2000w，压强为30mT～200mT。

8.如权利要求7所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述第二次去胶为等离子去胶艺或氧化去胶，去胶工艺参数包括：工艺试剂为O₂或者N₂或者H₂，流量为50sccm～2000sccm；工艺温度为0℃～50℃，工艺时间为5s～30s，功率为200w～1500w，压强为30mT～200mT。

9.如权利要求8所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述湿法清洗的工艺参数包括：工艺试剂为硫酸和双氧水；工艺温度为0℃～200℃，工艺时间为30s～600s。

10.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，对湿法清洗后的器件表面进行缺陷检查，根据检查结果调整所述半导体衬底所在批次的其余半导体衬底的接触孔形成工艺中的所述第二次去胶的工艺参数。