[发明专利]钻头表面涂层及其加工工艺有效

专利信息
申请号: 201510271810.5 申请日: 2015-05-25
公开(公告)号: CN104846334B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 栾华健;金章斌;李海东;张超 申请(专利权)人: 苏州阿诺精密切削技术有限公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/34
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 代理人: 汤东凤
地址: 215122 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 钻头 表面 涂层 及其 加工 工艺
【权利要求书】:

1.一种钻头表面涂层,其特征在于,所述钻头表面涂层依次包括:打底层、主结构层、以及表层,所述打底层附着于所述钻头表面,所述主结构层位于所述打底层和表层之间;

所述打底层为Ti层,所述主结构层为TiAlN层,所述表层为Si层;

其中,所述钻头表面涂层表面维氏硬度Hv3000,所述主结构层与表层的厚度比例为:2.5:1。

2.根据权利要求1所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述加工工艺包括如下步骤:

S1.装载待加工的钻头,抽真空,使得钻头在真空环境下加热;

S2.通入氩气,利用辉光放电清洗AlTi靶材和Si靶材;

S3.通入氩气,控制靶材电压和电流,在偏压形成的电场作用下,使离子轰击所述钻头表面,对钻头表面进行清洗;

S4.向真空环境中通入氮气,对所述钻头施加偏压,提供Ti靶,对所述Ti靶施加相应电压电流,使所述Ti靶离化出的离子吸附在所述钻头表面,形成打底层;

S5.调节通入氮气的体积流量,调节施加在所述钻头上的偏压,提供TiAl靶,对所述TiAl靶施加相应电压电流,使所述TiAl靶离化出的离子吸附在所述打底层表面,形成主结构层;

S6.通入乙炔,并调节通入氮气的体积流量,调节施加在所述钻头上的偏压,提供Si靶,对所述Si靶施加相应电压电流,使所述Si靶离化出来的离子吸附在外层表面,形成表层。

3.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S1中,所述真空环境的真空度大于1.0001mbar,所述加热温度控制在450~500℃。

4.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S2中,通入氩气100sccm,偏压500V,靶材电压18V,电流100A。

5.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S3中,通入氩气100sccm;靶材电压18V,电流110A;控制偏压600V,持续480s,并升至800V,持续480s。

6.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S4中,通入氮气200sccm~350sccm;靶材电压18V,电流180A;控制偏压逐步降低,500V持续30s,200V持续30s,100V持续30s,80V持续30s,60V持续800s。

7.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S5中,通入氮气400sccm;偏压60V;靶材电压15V,电流180A。

8.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S5还包括:提供TiAl靶持续1000s后,再提供Si靶,此时,靶材电压15V~18V,电流300A~350A,持续约500s,在所述主结构层上形成过渡层。

9.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S6中,通入氮气200sccm~250sccm和乙炔;偏压40V~60V;靶材电压15V~18V,电流300A~350A,持续时间1000s;同时逐步增加乙炔的气量,由8sccm逐步增加至20sccm。

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