[发明专利]钻头表面涂层及其加工工艺有效
申请号: | 201510271810.5 | 申请日: | 2015-05-25 |
公开(公告)号: | CN104846334B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 栾华健;金章斌;李海东;张超 | 申请(专利权)人: | 苏州阿诺精密切削技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 215122 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钻头 表面 涂层 及其 加工 工艺 | ||
1.一种钻头表面涂层,其特征在于,所述钻头表面涂层依次包括:打底层、主结构层、以及表层,所述打底层附着于所述钻头表面,所述主结构层位于所述打底层和表层之间;
所述打底层为Ti层,所述主结构层为TiAlN层,所述表层为Si层;
其中,所述钻头表面涂层表面维氏硬度Hv3000,所述主结构层与表层的厚度比例为:2.5:1。
2.根据权利要求1所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述加工工艺包括如下步骤:
S1.装载待加工的钻头,抽真空,使得钻头在真空环境下加热;
S2.通入氩气,利用辉光放电清洗AlTi靶材和Si靶材;
S3.通入氩气,控制靶材电压和电流,在偏压形成的电场作用下,使离子轰击所述钻头表面,对钻头表面进行清洗;
S4.向真空环境中通入氮气,对所述钻头施加偏压,提供Ti靶,对所述Ti靶施加相应电压电流,使所述Ti靶离化出的离子吸附在所述钻头表面,形成打底层;
S5.调节通入氮气的体积流量,调节施加在所述钻头上的偏压,提供TiAl靶,对所述TiAl靶施加相应电压电流,使所述TiAl靶离化出的离子吸附在所述打底层表面,形成主结构层;
S6.通入乙炔,并调节通入氮气的体积流量,调节施加在所述钻头上的偏压,提供Si靶,对所述Si靶施加相应电压电流,使所述Si靶离化出来的离子吸附在外层表面,形成表层。
3.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S1中,所述真空环境的真空度大于1.0001mbar,所述加热温度控制在450~500℃。
4.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S2中,通入氩气100sccm,偏压500V,靶材电压18V,电流100A。
5.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S3中,通入氩气100sccm;靶材电压18V,电流110A;控制偏压600V,持续480s,并升至800V,持续480s。
6.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S4中,通入氮气200sccm~350sccm;靶材电压18V,电流180A;控制偏压逐步降低,500V持续30s,200V持续30s,100V持续30s,80V持续30s,60V持续800s。
7.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S5中,通入氮气400sccm;偏压60V;靶材电压15V,电流180A。
8.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S5还包括:提供TiAl靶持续1000s后,再提供Si靶,此时,靶材电压15V~18V,电流300A~350A,持续约500s,在所述主结构层上形成过渡层。
9.根据权利要求2所述的钻头表面涂层的加工工艺,其特征在于,所述步骤S6中,通入氮气200sccm~250sccm和乙炔;偏压40V~60V;靶材电压15V~18V,电流300A~350A,持续时间1000s;同时逐步增加乙炔的气量,由8sccm逐步增加至20sccm。
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