[发明专利]二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种二极管的制造方法，其特征在于，包括：

提供绝缘基板；

形成覆盖所述绝缘基板的第一导电层；

在所述第一导电层上依次形成第一半导体层和第二半导体层以形成管芯，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型不同；

形成位于所述管芯上的第二导电层；

形成覆盖所述第二导电层的保护层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘基板为玻璃基板。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成覆盖所述绝缘基板的第一导电层的步骤之后，在形成第一半导体层的步骤之前，所述制造方法还包括：在相邻管芯之间形成覆盖部分第一导电层的绝缘层，以实现相邻二极管之间的电隔离。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在相邻二极管之间形成覆盖部分第一导电层的绝缘层的步骤包括：

在所述第一导电层上形成绝缘材料层；

去除部分绝缘材料层，形成露出所述第一导电层的第一开口，以形成绝缘层。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层材料为氮化硅或氧化硅。

6.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层厚度在230nm～270nm范围内。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一导电层上依次形成第一半导体层和第二半导体层的步骤包括：所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料为非晶半导体。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一导电层上依次形成第一半导体层和第二半导体层的步骤包括：采用化学气相沉积的方式形成所述第一半导体层和第二半导体层。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成位于所述管芯上的第二导电层的步骤之后，形成覆盖所述第二导电层的保护层的步骤之前，所述制造方法还包括：刻蚀所述第二导电层和所述管芯形成露出所述第一导电层的第一沟槽；

形成覆盖所述第二导电层的保护层的步骤还包括：所述保护层还覆盖所述第一沟槽的底部和侧壁。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在形成覆盖所述绝缘基板的第一导电层的步骤之后，在所述第一导电层上形成第一半导体层的步骤之前，所述制造方法还包括：在相邻管芯之间形成覆盖部分第一导电层的绝缘层；

形成所述第一沟槽的步骤包括：在所述绝缘层上形成所述第一沟槽，且使所述第一沟槽底部露出所述绝缘层。

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一导电层上依次形成第一半导体层和第二半导体层以形成管芯的步骤之后，形成位于所述管芯上的第二导电层的步骤之前，所述制造方法还包括：

形成位于所述管芯上的短接层；

刻蚀所述短接层和所述管芯，形成底部露出所述绝缘基板的第二沟槽；

形成覆盖所述第二沟槽侧壁和底部的隔离层；

形成位于所述管芯上的第二导电层的步骤包括：形成覆盖所述短接层和隔离层的第二导电层。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，形成位于所述管芯上的短接层的步骤包括：所述短接层的材料为金属或金属氧化物导体材料。

13.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，形成覆盖所述第二沟槽侧壁和底部的隔离层的步骤包括：

形成覆盖所述短接层以及所述第二沟槽侧壁和底部的隔离材料层；

去除部分隔离材料层，形成露出所述短接层的第二开口以形成隔离层。

14.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在形成覆盖所述绝缘基板的第一导电层的步骤之后，在所述第一导电层上形成第一半导体层的步骤之前，所述制造方法还包括：在相邻管芯之间形成覆盖部分绝缘基板的绝缘层，以实现相邻管芯之间的电隔离；

在相邻管芯之间形成覆盖部分第一导电层的绝缘层的步骤包括：

去除部分第一导电层，以形成底部露出绝缘基板的绝缘开口；

形成覆盖所述第一导电层以及绝缘基板的绝缘材料层；

去除部分绝缘材料层，形成露出所述第一导电层的第三开口，以形成绝缘层；

形成所述第二沟槽的步骤包括：在所述绝缘层上形成所述第二沟槽，所述第二沟槽的底部露出所述绝缘层。