[发明专利]光刻抗反射层的离线监控方法

权利要求书

1.光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，用于对半导体工艺流程中光刻抗反射层的气泡缺陷进行监控，所述半导体工艺流程包括：阻挡结构的制作、光刻抗反射层的制作、光刻胶层的制作、光刻胶的刻蚀工艺，光刻抗反射层的刻蚀工艺，阻挡结构的顶部刻蚀工艺，其特征在于，包括：

提供监控用半导体衬底，所述监控用半导体衬底上形成有监控薄膜结构，

所述监控薄膜结构的制作方法与用于被监控的半导体工艺流程的阻挡结构的制作方法一致；

在所述监控薄膜上方依次形成光刻抗反射层和光刻胶层，所述光刻抗反射层和光刻胶层的制作方法与被监控的半导体工艺流程的光刻抗反射层和光刻胶层的制作方法一致；

进行光刻抗反射层刻蚀，所述光刻抗反射层刻蚀与被监控的半导体工艺流程的光刻抗反射层的刻蚀工艺一致；

进行阻挡结构的顶部刻蚀工艺，所述顶部刻蚀工艺与被监控的半导体工艺流程的顶部刻蚀工艺一致；

对阻挡结构进行光学检测，通过阻挡结构缺陷分布情况判断光刻抗反射层的气泡缺陷情况。

2.如权利要求1所述的光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，其特征在于，所述监控用半导体衬底的材质为硅。

3.如权利要求1所述的光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，其特征在于，所述阻挡结构包括：底部氧化硅阻挡层、位于底部氧化硅阻挡层上方的氮化硅阻挡层、位于氮化硅阻挡层上方的顶部氧化硅阻挡层，所述阻挡结构的顶部刻蚀工艺为对所述顶部氧化硅阻挡层进行刻蚀工艺，对所述阻挡结构进行光学检测为对所述阻挡结构的氮化硅阻挡层进行光学检测。

4.如权利要求1所述的光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，其特征在于，所述顶部刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，其特征在于，所述光刻抗反射层的刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。

6.如权利要求3所述的光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，其特征在于，所述光学检测利用亮场或暗场检测，所述光学检测为对所述氮化硅阻挡层进行检测。

7.如权利要求6所述的光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，其特征在于，所述光学检测利用亮场检测。

8.如权利要求1或7所述的光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，其特征在于，所述光学检测利用KLA 28系列检测设备进行。

9.如权利要求8所述的光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，其特征在于，所述光学检测的参数为：120纳米像素，采用蓝带光波，反射光收集模式。

10.如权利要求1所述的光刻抗反射层气泡缺陷的离线监控方法，其特征在于，若检测所述阻挡结构上没有气泡缺陷，所述监控用半导体衬底可重复使用。