[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有：

第一导电类型的基底衬底；

第一导电类型的半导体层，形成在所述基底衬底之上，并且与所述基底衬底相比、具有更低的杂质浓度；

第二导电类型的第一嵌入层，形成在所述半导体层中；

第二嵌入层，形成在所述半导体层中，比所述第一嵌入层更深，远离所述第一嵌入层，并且与所述第一嵌入层相比、具有更低的杂质浓度；以及

晶体管，形成在所述半导体层中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述半导体器件具有：

沟槽，形成在所述半导体层中，并且围绕所述晶体管，以及

绝缘膜，嵌入到所述沟槽中；并且所述沟槽的底面与所述第二嵌入层相比、定位在更浅的位置处。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述半导体器件具有：

孔，形成在所述半导体层中，

绝缘层，形成在所述孔的侧面之上，以及

导体，嵌入到所述孔中；并且

所述孔的底面与所述第二嵌入层相比更深。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

所述半导体器件具有：

第一导电类型区域，形成在所述半导体层中，定位在所述孔的底部部分处，并且与所述半导体层相比、具有更高的杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

P被引入到所述第二嵌入层中，并且B被引入到所述基底衬底中。