[发明专利]一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置

权利要求书

1.一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：包括有半导体激光器芯片、热沉、快轴准直透镜、柱面透镜组、直角棱镜阵列；所述半导体激光器芯片封装在热沉上；所述半导体激光器芯片发射的激光依次穿过快轴准直透镜、直角棱镜阵列和柱面透镜组后射出。

2. 根据权利要求1所述的一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：所述快轴准直透镜对半导体激光器芯片发出的激光进行快轴准直，快轴准直后的半导体激光器芯片各发光点Y轴方向光斑宽度小于半导体激光器芯片上各发光点之间的距离。

3. 根据权利要求1所述的一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：所述直角棱镜阵列由多个直角棱镜组错位排列组成；所述直角棱镜组由直角棱镜A和直角棱镜B组成；所述直角棱镜A和直角棱镜B截面形状为等腰直角三角形。

4. 根据权利要求1所述的一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：所述直角棱镜A的直角面和直角棱镜B的直角面通过UV胶水固定，且直角棱镜A的斜面和直角棱镜B的斜面所在的轴向方向不相同。

5. 根据权利要求1所述的一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：所述柱面透镜组由多个柱面透镜单元组成，柱面透镜单元按照光程差组合固定，相邻柱面透镜单元在X方向的距离差等于半导体激光器芯片各发光点的光程差，其误差不超过±100μm。

6. 根据权利要求1所述的一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：所述直角棱镜A的直角边长度等于快轴准直后各发光点Y轴方向光斑的宽度，其误差不超过±2μm；所述直角棱镜A的高度应等于半导体激光器芯片上各发光点之间的距离，其误差不超过±5μm。

7. 根据权利要求1所述的一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：直角棱镜B的直角边长度应等于半导体激光器芯片上各发光点之间的距离，其误差不超过±5μm；直角棱镜B的高度应等于快轴准直后各发光点Y轴方向光斑的宽度，其误差不超过±2μm。

8. 根据权利要求1所述的一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：直角棱镜A和直角棱镜B的重合面的误差在X方向小于100μm、Z方向小于100μm。

9. 根据权利要求1所述的一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：所述半导体激光器芯片的每个发光点都对应设置有一组直角棱镜组，相邻的直角棱镜组在Z方向上的的距离等于快轴准直后各发光点Y轴方向光斑的宽度，其误差不超过±5μm。

10. 根据权利要求1所述的一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置，其特征是：所述直角棱镜阵列中的每个直角棱镜组分别对应半导体激光器芯片的每个发光点，相邻的直角棱镜组在Z方向的距离差等于快轴准直后各发光点Y轴方向光斑宽度，其误差要求不超过±5μm。