[发明专利]一种马铃薯化学消毒组培方法有效
申请号: | 201510274256.6 | 申请日: | 2015-05-26 |
公开(公告)号: | CN104885946A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 高世宇;林庆良;许莉萍;郭晋隆;阙友雄 | 申请(专利权)人: | 福建农林大学 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙) 35220 | 代理人: | 陈智雄;黄秀婷 |
地址: | 350002 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 马铃薯 化学 消毒 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种植物组织培养方法,具体涉及一种马铃薯化学消毒组培方法,属生物技术领域。
背景技术
马铃薯(Solanum tuberosum)属茄科多年生草本植物,是一种无性繁殖的作物,在我国种植非常广泛。马铃薯含有人体必需的碳水化合物、蛋白质、维生素、膳食纤维等全部七大类营养物质,是现代人的理想食物之一。现在,它已经成为世界第四大粮食作物。但是,在生产中由于常年连作,种植环境的污染,使得各种真菌类、细菌类、病毒类病害侵染马铃薯,其中真菌类和细菌类病害可以用化学方法防治,但病毒类病害不能用化学药剂防治。植株体感染病毒后还会在体内增殖、运转和积累,引起种性退化,使得其产量和品质逐年下降,严重的甚至绝收。解决这一问题的有效措施就是对其进行茎尖培养脱除病毒,并进一步生产脱毒种薯。我国从20世纪70年代开始建立了马铃薯脱毒及种薯生产体系,利用植物组织培养技术生产大量的脱毒组培苗,并进一步在网室内生产马铃薯脱毒种薯,此项技术在解决种薯种性退化方面取得了较好的成效。
但是,如何大幅度地降低马铃薯脱毒组培苗的生产成本,为大面积推行脱毒种薯的应用、提高马铃薯的单产水平和整体推进马铃薯产业具有重大的现实意义。常规的马铃薯茎尖组织培养是在无菌条件下进行的,组织培养的各个环节均需配置相应的设施设备及常规耗材,成本较高,能源消耗较大,同时整个流程要在无菌条件下操作,人工操作成本高。如果能通过培养基改造,获得既保证马铃薯脱毒种苗正常生长,又具有杀菌、抗菌或抑菌功能的培养基,菌类也就不能在培养基中滋生。
发明内容
本发明的目的是提供一种马铃薯化学消毒组培方法。
本发明的目的是通过以下方法实现的。
本发明的一种马铃薯化学消毒组培方法,包括培养容器消毒、培养基配制、茎尖诱导增殖培养、壮苗培养、生根培养和瓶苗移栽,其特征在于:
1.培养容器消毒:将培养瓶、瓶盖及接种用的不锈钢盘在100mg/L次氯酸钠+10mg/L乳酸链球菌素+100mg/L丙酸钙的水溶液中浸泡不少于10h,保存备用;
2.培养基配制:茎尖诱导增殖培养基为MS+1.0~3.0mg/L 6-BA+0.1~0.5mg/L NAA+50~100mg/L次氯酸钠+2~5mg/L青霉素+0.1~0.5mg/L十二烷基磺酸钠+20g/L蔗糖+3.5g/L琼脂粉,pH5.8;壮苗培养基为:MS+0.1~0.5mg/L 6-BA+0.1~0.5mg/L NAA+50~100mg/L次氯酸钠+2~5mg/L青霉素+0.1~0.5mg/L十二烷基磺酸钠+20g/L蔗糖+3.5g/L琼脂粉,pH5.8;生根培养基为1/2MS+0.2~0.5mg/L NAA+50~100mg/L次氯酸钠+2~5mg/L青霉素+0.1~0.5mg/L十二烷基磺酸钠+20g/L蔗糖+3.5g/L琼脂粉,pH5.8;所述MS培养基为1962年,Murashige和Skoog公开的MS培养基;所述6-BA,指6-苄氨基嘌吟;所述NAA,指〆-萘乙酸;配制培养基时,先称各培养基配方中蔗糖和琼脂粉,加培养基总体积1/2的自来水,加热至琼脂粉完全溶解,再按各培养基配方配齐其他原料后,定容,然后用1mol/L的NaOH或1mol/L的HCl调pH值至5.8,分装到消毒过的培养容器中,封口,冷却凝固后备用;
3.茎尖诱导增殖培养:取发芽种薯的带芽块茎进行变温处理,每天40℃处理4h,25℃处理20h,如此处理4周;从顶芽或侧芽取茎尖,先剥去大叶片,用自来水冲洗20~30min,在体积比为75%的酒精中浸泡30s,用重量比为0.1%的升汞溶液消毒10min,取出后,用无菌水冲洗3次,然后在无菌条件下剥取带1~2个叶原基、长0.3~0.7mm的茎尖,接种于茎尖诱导增殖培养基上培养30d,获得大量的丛生芽;将丛生芽切成长1.0~1.5cm、带单个腋芽的茎段,再次转入诱导增殖培养基中,逐步发育成不具根的幼苗,每30d转接一次,大量增殖不具根的幼苗;培养室温度为26℃,光照12h,光照强度为2000~3000lx;
4.壮苗培养:将增殖后的不具根的幼苗接种到壮苗培养基上,培养4周成为不具根的小苗;培养室温度为26℃,光照12h,光照强度为2000~3000lx;
5.生根培养:取壮苗培养至6~8cm高、茎粗不小于0.3cm的不具根的小苗,接种到生根培养基上,培养25d后成为完整植株;培养室温度为25℃,光照16h,光照强度为2000~3000lx;
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