[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置。

背景技术

AM-OLED(Active Matrix-Organic Light-Emitting Display，有源矩阵式有机电致发光显示器)显示器中的OLED器件的发光方式主要为从阴极一侧出光，即，如图1所示，阳极040与阴极020分别位于功能层030的两侧，当在阳极040与阴极020上施加大于某一阈值的外加电场后，空穴、电子分别从阳极040、阴极020注入到功能层030中的发光层后发生辐射复合而导致发光，如图中箭头方式所示，光线从位于上方的阴极020一侧射出，从而实现显示。

然而，由于阴极通常采用低功函数的金属单质和/或合金材料，其光透过率较低，为了减小阴极对OLED器件整体出光率的影响，需要将阴极的厚度制作地较薄。但是当阴极厚度较小时，其面电阻Rs(Rs＝ρ/t，ρ为电阻率，t为厚度)会显著增加，导致OLED器件的驱动电压升高，能耗变大。

发明内容

本发明的实施例提供一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置，不需要减小金属阴极的厚度即可提高OLED器件的整体出光率，保证其良好的显示效果。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面、本发明实施例提供了一种电致发光器件，所述电致发光器件包括：位于衬底基板上的金属阴极层、功能层、透明阳极层；其中，所述透明阳极层位于所述电致发光器件的出光侧；所述功能层包括：依次远离所述金属阴极层的电子传输层、发光层以及空穴传输层。

优选的，所述电致发光器件还包括：位于所述衬底基板与所述金属阴极层之间的透明导电层，且所述透明导电层与所述金属阴极层相接触。

进一步优选的，所述透明导电层由铟锡氧化物、铟锌氧化物、氟掺杂锡氧化物、镓铟锡氧化物、以及锌铟锡氧化物中的任一种材料构成。

进一步优选的，所述透明导电层的厚度为10-20nm。

优选的，所述电致发光器件还包括：位于所述功能层与所述透明阳极层之间的透明缓冲层；其中，构成所述透明缓冲层材料的空穴迁移率大于等于10-5cm2·s-1·V-1。

进一步优选的，所述透明缓冲层的厚度为50-150nm。

在上述基础上优选的，所述金属阴极层的厚度为20-100nm。

在上述基础上优选的，所述功能层还包括：电子注入层、电子阻挡层以及空穴注入层中的至少一种；其中，所述电子注入层位于所述金属阴极层与所述电子传输层之间；所述电子阻挡层位于所述发光层与所述空穴传输层之间；所述空穴注入层位于所述空穴传输层与所述透明阳极层之间。

本发明实施例还提供了一种电致发光器件的制备方法，所述制备方法包括：在衬底基板上形成金属阴极层、功能层、透明阳极层；其中，形成的所述透明阳极层位于所述电致发光器件的出光侧；形成所述功能层包括：依次远离所述金属阴极层的电子传输层、发光层以及空穴传输层。

优选的，形成所述功能层之后，且形成所述透明阳极层之前，所述制备方法还包括：在形成的所述功能层上形成透明缓冲层；其中，构成所述透明缓冲层材料的空穴迁移率大于等于10^-5cm²·s^-1·V^-1。

进一步优选的，形成的所述透明缓冲层的厚度为50-150nm。

在上述基础上优选的，所述透明阳极层采用低温成膜工艺形成；其中，所述低温成膜工艺的成膜温度小于等于100℃。

优选的，所述低温成膜工艺包括：负离子束溅镀法、低温化学气相沉积法中的至少一种。

进一步优选的，形成所述金属阴极层之前，所述制备方法还包括：在所述衬底基板上形成透明导电层；形成所述金属阴极层包括：在所述透明导电层上形成所述金属阴极层，且所述透明导电层与所述金属阴极层相接触。

优选的，形成的所述功能层还包括：电子注入层、电子阻挡层以及空穴注入层中的至少一种；其中，形成所述金属阴极层之后，且形成所述电子传输层之前，所述制备方法还包括：形成所述电子注入层；形成所述发光层之后，且形成空穴传输层之前，所述制备方法还包括：形成所述电子阻挡层；形成所述空穴传输层之后，且形成所述透明阳极层之前，所述制备方法还包括：形成所述空穴注入层。

另一方面、本发明实施例还提供了一种显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的上述任一项所述的电致发光器件。