[发明专利]带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201510277094.1 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104851864B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 梁士雄;房玉龙;邢东;王俊龙;杨大宝;张立森;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 悬空 引线 结构 gan 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管制作方法，其特征在于包括如下步骤：
1）在衬底（1）的上表面外延生长高掺杂的N+型GaN层（2）；
2）在高掺杂的N+型GaN层（2）的上表面外延生长N-型GaN层（5）；
3）采用光刻或干法刻蚀的方法对N-型GaN层（5）进行处理得到N-型GaN台面；
4）采用光刻方法对N-型GaN层（5）进行光刻，露出N-型GaN台面隔离，采用干法刻蚀形成欧姆接触层之间的隔离槽（3）；
5）在N+型GaN层（2）的上表面分别形成第一欧姆接触层（4）和第二欧姆接触层（6）；
6）在N-型GaN层（5）的上表面进行光刻，露出肖特基接触区，在肖特基接触区蒸发金属形成肖特基接触层（7）；
7）采用平整化工艺将隔离槽（3）填平；
8）采用电镀工艺在肖特基接触层（7）和第二欧姆接触层（6）之间形成空气桥（8）；
9）采用激光烧蚀的方法将芯片周围的衬底（1）腐蚀掉，在芯片的周围形成烧蚀槽；
10）采用厚胶多次旋涂方法进行平整化工艺，将烧蚀槽填平，在第一欧姆接触层（4）以及空气桥上光刻出梁式引线图形，采用电镀方法在梁式引线图形上制作出梁式引线。
2.根据权利要求1所述的带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管制作方法，其特征在于所述方法还包括步骤11）：采用机械方法进行衬底（1）背面减薄，衬底减薄厚度大于烧蚀深度。
3.根据权利要求2所述的带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管制作方法，其特征在于所述方法还包括步骤12）：对上述工艺处理后的器件进行去胶处理，实现器件分离。
4.根据权利要求1所述的带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管制作方法，其特征在于：所述烧蚀深度在20um至100um之间。
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