[发明专利]一种用于器件建模的标准单元选择方法有效

专利信息
申请号: 201510277904.3 申请日: 2015-05-27
公开(公告)号: CN104899364B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 陈展飞 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;G06F11/22
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 器件 建模 标准 单元 选择 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体集成电路的器件建模方法,更具体地,涉及一种用于器件建模的标准单元的快速、高效选择方法。

背景技术

在半导体器件的开发过程中,需要对器件的性能进行预测并进行仿真模拟,因此需要建立精确的器件分析模型,以便得到精准的分析结果。

为了保证器件模型可以客观地反映器件的性能及统计分布,模型必需从位于工艺误差中位值的器件上萃取得到。符合中位值的器件称为标准器件,标准器件所在的单元,称为标准单元。

随着半导体技术结点不断变小和晶圆不断变大,单片晶圆上可放入的单元数不断增加,生产工艺不稳定性也在提升,符合工艺误差中位值的器件会离散地分布于多个标准单元上。请参阅图1,图1是标准器件在全晶圆上的分布特性示意图。如图1所示,在整个晶圆上排列有多个单元,每个单元中的百分数表示标准器件在该单元中所占的比例。

在进行测试时,选择过多的标准单元会降低机台测试的效率;同时,手工设置测试标准单元以及机台寻找标准单元的过程,都会引入更多的随机误差。因此,必须选择最少的标准单元。

现有方法是通过人工对比来选择标准单元,但过多的单元数会造成选择过程冗长,效率低下,容易出错。这样,不但无法找到标准单元的最优方案,而且会耗费大量的时间,推迟模型发布时间。这些都会对关键节点的开发和设计应用造成不利的影响。

因此,开发一种自动的用于器件建模的标准单元选择方法,就显得尤为重要。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷,提供一种新的用于器件建模的标准单元选择方法,通过排它性原理,经过多次迭代,可以快速、高效地实现标准单元的选择。

为实现上述目的,本发明的技术方案如下:

一种用于器件建模的标准单元选择方法,包括以下步骤:

步骤S01:建立晶圆上器件与其所在位置具有一一对应关系的器件—单元映射库;

步骤S02:设定标准单元选择条件,在所述映射库中选择独特性标准单元,所述独特性标准单元为包含最多标准器件的单元或某尺寸符合条件的器件仅出现在一个单元上的单元;

步骤S03:当所有的器件在所述映射库中只有一个位置时,生成用于自动化测试的测试文件,完成关键器件的筛选;

其中,步骤S02中,当以包含最多标准器件的单元为选择独特性标准单元的目标时,包括以下步骤:

步骤S0211:若某单元包含数量最多的标准器件时,则选定该单元及该单元上的器件,同时,根据排它性原理,从所述映射库中删除其它单元上的这些器件;

步骤S0212:在剩余的单元中,选择包含数量最多的标准器件的单元作为选定单元,重复步骤S0211的过程;

步骤S0213:对晶圆上的所有单元用上述步骤进行迭代处理,直到所有的器件在所述映射库中只有一个位置为止,所形成的所述映射库即为最优的标准单元选择结果;

或者,步骤S02中,当以某尺寸符合条件的器件仅出现在一个单元上为选择独特性标准单元的目标时,包括以下步骤:

步骤S0221:若某标准器件仅出现在晶圆上某个单元上,则选定该单元,出现在该单元上的符合条件的其它器件也相应被选定,同时,根据排它性原理,从所述映射库中删除该某标准器件在其它单元上的位置;

步骤S0222:在剩余的器件中寻找是否还有标准器件仅出现在晶圆的某个单元上,若有,则重复步骤S0221,直到所有的器件在所述映射库中只有一个位置,最后所形成的所述映射库即为最优的标准单元选择结果;若没有,则继续以下步骤:

步骤S02221:若某单元包含数量最多的标准器件时,则选定该单元及该单元上的器件,同时,根据排它性原理,从所述映射库中删除其它单元上的这些器件;

步骤S02222:在剩余的单元中,选择包含数量最多的标准器件的单元作为选定单元,重复步骤S02221的过程;

步骤S02223:对晶圆上的所有单元采用步骤S02221~S02222进行迭代处理,直到所有的器件在所述映射库中只有一个位置为止,最后所形成的所述映射库即为最优的标准单元选择结果。

优选地,步骤S01中,根据测试数据建立所述映射库,并通过对所述映射库的数据进行计算,得到每个器件测试数据中位数的值,存入所述映射库中。

优选地,所述标准单元选择条件包括对器件特性值误差的选择。

优选地,所述器件特性值误差包括开启电压误差、饱和电流误差或截止电流误差。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510277904.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top