[发明专利]一种超极细单晶铜扁丝带及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及键合引线生产技术领域，具体涉及一种超极细单晶铜扁丝带及其制备方法。

背景技术

键合引线广泛用于LED、半导体集成电路上，如民用消费品IC：电脑，手机，电视机等芯片上。工业IC：大型服务器，电机，智能仪表仪器，储存器，医疗器械设备等芯片，及太阳能光伏，二极管三极管等电子封装。

随着市场和技术的发展，芯片功能不断增强，引线越来越多，而体积却越来越小，导致焊盘在整个芯片中所占的面积比不断上升，因此，研究超细间距键合技术是解决芯片小型化必须解决的一个关键技术，但是目前市场上生产的键合丝的性能还是相对比较差，而且其在制备的时候，所选用的配料也不合理，同时加工的方式欠缺，很容易造成引线不够均匀，使用效果并不明显，不能满足人们的需求。

发明内容：

本发明所要解决的技术问题在于提供一种配方配比合理，制备工艺简单方便的超极细单晶铜扁丝带及其制备方法。

本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种超极细单晶铜扁丝带，其特征在于：主要由单晶铜和辅料制成，所述的铂铑与辅料的比例为99.99.:0.01；

所述的辅料包括以下重量份的原料：铁0.5-1.5份、铜1.5-2.5份、锰1-3份、镁2-4份、铬1-4份、钛3-4份、铍2-4份、铝3-5份、锌2-5份。

所述的辅料优选的重量份为：铁1份、铜2份、锰2份、镁3份、铬2.5份、钛2.5份、铍3份、铝4份、锌3.5份。

本发明的另一个目的是提供一种制备本发明超极细单晶铜扁丝带的方法，其特征在于包括以下步骤：

a、选用一真空熔炉，将原料中的单晶铜放进真空熔炉内，调节炉内温度为800-1200℃，进行高温熔炼，在熔炼过程中，要冲入氮气和氩气加以保护；

b、待单晶铜完全熔炼后，将原料中辅料依次添加进入熔炉，控制转速为2500-3000r/min的速率进行高速搅拌，搅拌均匀后，静置55分钟；

c、将上述步骤b中的原料通过铸造模，铸造出直径为8mm的单晶铜棒材，然后自然冷却；

d、将8mm的单晶铜棒材用模具拉拔成粗3mm单晶铜丝材，将3mm粗单晶铜丝以500-800℃的高温退火45分钟，然后进行冷挤压6-8次后得到所需细度的单晶铜丝材；

e、将步骤d处理后的单晶铜丝以400-600℃的高温退火45分钟以消除加工应力，随炉冷却，然后冷拉至所需的直径；

f、将步骤e中的单晶铜丝经扁模心加工到所需的规格后，最后再自然冷却后即可制成超极细单晶铜扁丝带。

本发明的有益效果是：本发明工艺流程简洁，原料配比合理，通过单晶铜与其他混合辅料进行合理配比后，通过科学有序的步骤进行加工，作出的键合丝不仅产品质量优，作出的细度更加细，适合现阶段电子行业的需求，特别适合用于半导体大功率集成电路元器件，使用效果好，便于推广及使用。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。

实施例1

称取99.99.g的单晶铜和0.01g的辅料，(辅料按照铁0.5份、铜1.5、锰1、镁2、铬1、钛3、铍2、铝3、锌2份的组分进行配置)，然后选用一真空熔炉，将原料中的单晶铜放进真空熔炉内，调节炉内温度为800℃，进行高温熔炼,在熔炼过程中，要冲入氮气和氩气加以保护；待单晶铜完全熔炼后，将原料中辅料依次添加进入熔炉，控制转速为2500r/min的速率进行高速搅拌，搅拌均匀后，静置55分钟；再通过铸造模，铸造出直径为8mm的单晶铜棒材，然后自然冷却；将8mm的单晶铜棒材用模具拉拔成粗3mm单晶铜丝材，将3mm粗单晶铜丝以500℃的高温退火45分钟，然后进行冷挤压6次后得到所需细度的单晶铜丝材；再以400℃的高温退火45分钟以消除加工应力，随炉冷却，然后冷拉至所需的直径后经扁模心加工到所需的规格后，最后再自然冷却后即可制成超极细单晶铜扁丝带。

实施例2