[发明专利]具有低β双极型器件的带隙电压电路

权利要求书

1.一种用于提供减小的带隙电压分布的设备，包括：

第一双极型器件，所述第一双极型器件的输出节点处取得的基极-发射极电压被用来确定带隙电压值；以及

第二双极型器件，其在输出节点处串联耦合到所述第一双极型器件，并且被布置成在确定所述带隙电压值时使偏置电流通过以偏置所述第一双极型器件，从而减小所述带隙电压的电压分布。

2.权利要求1所述的设备，还包括串联耦合到所述第一双极型器件的一个或多个附加的双极型器件，所述一个或多个附加的双极型器件中的每一个被布置成在确定所述带隙电压值时使所述偏置电流通过。

3.权利要求2所述的设备，其中，所述第一双极型器件、所述第二双极型器件以及所述一个或多个附加的双极型器件包括双极型结型晶体管（BJT）。

4.权利要求2所述的设备，其中，所述第一双极型器件、所述第二双极型器件以及所述一个或多个附加的双极型器件包括金属氧化物半导体（MOS）晶体管。

5.权利要求1所述的设备，其中，所述第二双极型器件包括与所述第一双极型器件相同或类似类型的双极型器件。

6.权利要求1所述的设备，其中，基于所述第一和所述第二双极型器件中的至少一个的正向电流比而减小所述带隙电压的电压分布。

7.权利要求1所述的设备，其中，通过减小所述第一双极型器件的基极-发射极电压的电压分布而减小所述带隙电压的电压分布。

8.一种电路，包括：

基于带隙电压的参考电路部分，其被布置成提供基于目标双极型器件的输出节点处取得的基极-发射极电压的参考电压；以及

带隙电压方差减小电路部分，包括：

所述目标双极型器件；以及

一个或多个其他双极型器件，其在输出节点处串联耦合到所述目标双极型器件，并且被布置成在确定所述参考电压值时使偏置电流穿过所述一个或多个其他双极型器件到输出节点以偏置所述目标双极型器件，所述一个或多个其他双极型器件被布置成通过使所述偏置电流通过而减小所述目标器件的基极-发射极电压的电压分布。

9.权利要求8所述的电路，其中，所述带隙电压方差减小电路部分被布置成通过减小所述目标器件的基极-发射极电压的电压分布而减小由所述基于带隙电压的参考电路部分所产生的带隙电压的电压分布。

10.权利要求8所述的电路，其中，所述一个或多个其他双极型器件包括类似于所述目标双极型器件或与所述目标双极型器件相同类型的器件。

11.权利要求8所述的电路，其中，较大数量的所述一个或多个其他双极型器件导致更加减小的带隙电压分布。

12.权利要求8所述的电路，其中，所述带隙电压方差减小电路部分被布置成补偿所述目标双极型器件的饱和电流中的改变，以减小所述目标器件的基极-发射极电压的电压分布以及减小由所述基于带隙电压的参考电路部分所产生的带隙电压的电压分布。

13.权利要求8所述的电路，其中，所述电路包括集成电路（IC）的一部分，其被布置成向所述IC的一个或多个其他部分提供参考电压。

14.权利要求8所述的电路，其中，所述电路包括过温保护电路。

15.一种用于提供减小的带隙电压分布的方法，包括：

通过使目标双极型器件的偏置电流穿过在目标双极型器件的输出节点处串联连接到所述目标双极型器件的一个或多个双极型器件，调节所述偏置电流以减小所述目标双极型器件的基极-发射极电压的电压分布；

在关于公共节点确定所述目标双极型器件的输出节点处取得的基极-发射极电压时使用经调节的偏置电流来偏置所述目标双极型器件；以及

关于公共节点基于所述目标双极型器件的输出节点处取得的基极-发射极电压确定带隙电压。

16.权利要求15所述的方法，还包括：

增大所述目标双极型器件的正向电流比；

增大所述目标双极型器件的饱和电流；

减小所述目标器件的基极-发射极电压的电压分布；以及

减小基于所述目标双极型器件的基极-发射极电压的所述带隙电压的电压分布。