[发明专利]一种具低阻的P型GaN外延层制备方法有效
| 申请号： | 201510281069.0 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN106299060B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 冯美鑫;南琦;蔡金;傅华;王辉;王怀兵 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司32102 | 代理人： | 陆明耀,陈忠辉 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具低阻 gan 外延 制备 方法 | ||
1.一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，采用MOCVD 技术，利用NH3、TMGa 或TEGa、TMIn、TMAl 分别作为N 源、Ga 源、In 源和Al 源，使用Cp2Mg 和SiH4 作为Mg 和Si 的掺杂源生长，包括如下步骤：
S1，在氢气气氛下高温处理衬底；
S2， 在处理的衬底表面依次生长缓冲层、非掺的GaN层、 n型GaN层、多量子阱有源区层和电子阻挡层；
S3，在电子阻挡层上生长P型GaN层；
S4，在P型GaN层上生长P型接触层；
其特征在于：
在S1之前往反应室中预通Cp2Mg，通入时间0-3600S，流量为0—4000 sccm并将反应室暴露在大气中生长MgO，当反应室侧壁覆盖MgO时，开始步骤S1，且在所述S3中p型GaN层生长前，往反应室内通入CP2Mg掺杂剂，所述CP2Mg掺杂剂的流量为0—4000 sccm，通入时间为60—300 S，且控制Mg和Ga的摩尔流量比为0.01—0.02，使p型GaN层中的Mg杂质浓度稳定在最佳值(3-4e19 cm-3)。
2.如权利要求1所述的一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底、SiC衬底、Si衬底、GaN衬底或尖晶石衬底。
3.如权利要求1所述的一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，其特征在于：所述S3中P型GaN的生长温度为800-1200℃，生长压力为50—1000 mbar，厚度为0.01—1 um。
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