[发明专利]一种具有量子点结构的紫外发光二极管

权利要求书

1.一种具有量子点结构的紫外发光二极管，其特征在于：包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底(101)、AlN成核层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源区(105)、p型AlN/AlGaN量子点电子阻挡层(106)、p型AlGaN层(107)和氧化铟锡导电层(ITO)(108)，在n型AlGaN层上引出n型欧姆电极(110)，在氧化铟锡导电层(ITO)上引出p型欧姆电极(109)；在所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源区(105)与p型AlGaN层(107)之间设置有p型AlN/AlGaN量子点电子阻挡层(106)；电子阻挡层(106)是在AlN中以自组装模式生长的、呈均匀分布的AlGaN量子点。

2.根据权利要求1所述的具有量子点结构的紫外发光二极管，其特征在于：所述蓝宝石衬底(101)为r面蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的具有量子点结构的紫外发光二极管，其特征在于：所述AlN成核层(102)的厚度为20-100nm，非掺杂AlGaN缓冲层(103)的厚度为100-800nm，n型AlGaN层(104)的厚度为800-1000nm，Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源区(105)的周期数为5-10，p型AlN/AlGaN量子点电子阻挡层(106)的厚度为20-80nm，p型AlGaN层(107)的厚度为50-200nm。

4.根据权利要求1所述的具有量子点结构的紫外发光二极管，其特征在于：在AlN/AlGaN量子点层中采用Mg进行掺杂，其中Mg的掺杂浓度介于1×10¹⁷至1×10²⁰cm^-3之间。

5.根据权利要求1所述的具有量子点结构的紫外发光二极管，其特征在于：所述Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱有源区(105)中，阱和垒的Al组分满足如下要求：0.20≤x≤0.60，0.30≤y≤0.70，x<y。