[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201510284467.8 | 申请日: | 2015-05-28 |
公开(公告)号: | CN104851893B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 成军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1365 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机电致发光二极管 驱动 显示装置 阵列基板 顶发射 双面显示 开关TFT 发射 制备 发光 子像素单元 第一数据 像素单元 阵列排布 数据线 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板、以及设置在所述衬底基板同一侧的呈阵列排布的多个子像素单元,其特征在于,每个所述子像素单元包括底发射有机电致发光二极管、顶发射有机电致发光二极管、第一驱动TFT、第二驱动TFT以及至少一个开关TFT;
其中,所述至少一个开关TFT与所述第一驱动TFT和所述第二驱动TFT相连,用于控制所述第一驱动TFT和所述第二驱动TFT的开启;
所述第一驱动TFT与所述底发射有机电致发光二极管以及第一数据线相连,用于将所述第一数据线输入的信号输入到所述底发射有机电致发光二极管,以驱动所述底发射有机电致发光二极管进行发光;
所述第二驱动TFT与所述顶发射有机电致发光二极管以及第二数据线相连,用于将所述第二数据线输入的信号输入到所述顶发射有机电致发光二极管,以驱动所述顶发射有机电致发光二极管进行发光;
所述第一驱动TFT的漏极与所述底发射有机电致发光二极管的第一电极电连接,所述第一驱动TFT的源极与所述第一数据线电连接;所述第二驱动TFT的漏极与所述顶发射有机电致发光二极管的第三电极电连接,所述第二驱动TFT的源极与所述第二数据线电连接;至少一个开关TFT用于给所述第一驱动TFT和所述第二驱动TFT提供栅极信号;其中,所述阵列基板还包括与所述开关TFT的源极电连接的第三数据线、以及与所述开关TFT的栅极电连接的栅线;
在每个所述子像素单元中,所述开关TFT的个数为1个;其中,所述开关TFT的栅极与一根栅线电连接,所述开关TFT的源极与一根所述第三数据线电连接,所述开关TFT的漏极与所述第一驱动TFT和所述第二驱动TFT的栅极均电连接;所述第一数据线和所述第二数据线分别位于所述子像素单元的两侧,且所述第一数据线靠近所述第一驱动TFT设置,所述第二数据线靠近所述第二驱动TFT设置;所述第三数据线靠近所述第一数据线或所述第二数据线设置;其中,所述第一数据线、所述第二数据线相互平行且与各所述TFT的源极和漏极同层设置,所述第三数据线与所述第一数据线和所述第二数据线之间设置有第一绝缘层;与所述开关TFT的栅极电连接的所述栅线与各所述TFT的栅极同层设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述底发射有机电致发光二极管的第一电极靠近所述第一驱动TFT的漏极设置,所述底发射有机电致发光二极管的第二电极远离所述第一驱动TFT的漏极设置;其中,所述第一电极为透明电极,所述第二电极为半透明电极;
所述顶发射有机电致发光二极管的第三电极靠近所述第二驱动TFT的漏极设置,所述顶发射有机电致发光二极管的第四电极远离所述第二驱动TFT的漏极设置;其中,所述第三电极为透明电极,所述第四电极为半透明电极;
所述阵列基板还包括位于所述第三电极远离所述第四电极一侧的反光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的