[发明专利]倒装结构发光二极管

权利要求书

1.一种倒装结构发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：半导体发光层；设置于所述半导体发光层一侧的P型电学连接部、N型电学连接部、以及用于电隔离所述P型电学连接部和N型电学连接部的第一绝缘层；与所述P型电学连接部电接触的第一电极；以及与所述N型电学连接部电接触的第二电极。

2.根据权利要求1所述的倒装结构发光二极管，其特征在于，所述半导体发光层包括：支撑衬底；设置于所述支撑衬底上的非掺杂层；设置于所述非掺杂层上的N型半导体层；设置于所述N型半导体层上的量子阱发光层；设置于所述量子阱发光层上的P型半导体层；第二绝缘层；以及设置于所述第二绝缘层中的第一开孔和第二开孔，其中所述P型半导体层经由所述第一开孔与P型电学连接部电连接，并且所述N型半导体层经由所述第二开孔与N型电学连接部电连接。

3.根据权利要求2所述的倒装结构发光二极管，其特征在于，所述半导体发光层还包括设置于所述P型半导体层上的复合金属层，所述P型半导体层通过所述复合金属层与所述P型电学连接部电连接。

4.根据权利要求3所述的倒装结构发光二极管，其特征在于，所述复合金属层由反射型P型欧姆接触层和位于所述反射型P型欧姆接触层上的隔离层构成。

5.根据权利要求1所述的倒装结构发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括转光层以及所述转光层上的透明支撑层，设置在所述半导体发光层的另一侧。

6.根据权利要求5所述的倒装结构发光二极管，其特征在于，所述转光层为掺有磷光材料的透明胶体。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的倒装结构发光二极管，其特征在于，所述第一电极为第一金属层和P型扩展电极的叠层，其中所述第一金属层与所述P型电学连接部224接触；所述第二电极为第二金属层和N型扩展电极的叠层，其中所述第二金属层与所述N型电学连接部接触。

8.根据权利要求7所述的倒装结构发光二极管，其特征在于，所述P型扩展电极和所述N型扩展电极为电镀层或化学镀层。

9.根据权利要求8所述的倒装结构发光二极管，其特征在于，所述P型扩展电极和所述N型扩展电极的厚度为15μm-50μm。

10.根据权利要求7所述的倒装结构发光二极管，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度为50nm-180nm。