[发明专利]一种晶体硅太阳能电池生产工艺无效
申请号: | 201510287576.5 | 申请日: | 2015-05-29 |
公开(公告)号: | CN104900761A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 杨道祥;杨波;李伟业;王娜 | 申请(专利权)人: | 安徽旭能光伏电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 239500 安徽省滁州市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 生产工艺 | ||
技术领域
本发明涉一种晶体硅太阳能电池生产工艺,属于太阳能电池制造技术领域。
背景技术
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源,也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域, 是其中最受瞩目的项目之一。为此,人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同。
太阳能电池转换效率的高低是评价一块太阳能电池的重要指标。而太阳能电池转换效率的高低不仅与太阳能电池的材料、结构有关,还与太阳能电池的生产工艺有重要的联系。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种晶体硅太阳能电池生产工艺,它工艺流程简单、合理,生产效率高,能有效提高太阳能电池转换效率。
本发明所要解决的技术问题采取以下技术方案来实现:
一种晶体硅太阳能电池生产工艺,它包括以下几个步骤:
(1)清洗、制绒:用化学碱或酸腐蚀硅片,以去除硅片表面机械损伤层,并进行硅片表面织构化,形成金字塔结构的绒面从而减少光反射;
(2)扩散、刻蚀:先将清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干,再将甩干后的硅片放置在扩散设备上进行扩散,最后用腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路;
(3)检测:对扩散、刻蚀后的硅片进行检测,看是否满足工艺要求,剔出不合格产品;
(4)减反射膜沉积:采用等离子体增强型化学气相沉积技术在电池表面沉积一层氮化硅减反射膜,不仅可以减少光的反射,而且有大量的氢原子进入,因此也起到了很好的表面钝化和体钝化的效果;
(5)印刷、烧结:为了从电池上获取电流,一般在电池的正、背两面制作电极。正面栅网电极的形式和厚度要求一方面要有高的透过率,另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。背面做成BSF结构,以减小表面电子复合,印刷后要进行高温烧结;
(6)检测分选:为了保证产品质量的一致性,通常要对每个电池片测试,并按电流和功率大小进行分类,也可根据电池效率进行分级;
(7)包装入库:将分选好的电池片一部分可以进行包装,入库。
上述步骤(2)中对硅片进行离心甩干,是在真空条件下进行的。
上述步骤(2)中扩散设备工作温度为800-900℃。
本发明的有益效果是:本发明工艺流程简单、合理,能有效提高产品质量及成品率,节约资源;降低了对制作太阳能电池材料的要求,提高了电池短路电流和开路电压。
附图说明
图1为本发明工艺流程图。
具体实施方式
为了对本发明的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
如图1所示,一种晶体硅太阳能电池生产工艺,它包括以下几个步骤:
(1)清洗、制绒:用化学碱或酸腐蚀硅片,以去除硅片表面机械损伤层,并进行硅片表面织构化,形成金字塔结构的绒面从而减少光反射;
(2)扩散、刻蚀:先将清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干,再将甩干后的硅片放置在扩散设备上进行扩散,最后用腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路;
(3)检测:对扩散、刻蚀后的硅片进行检测,看是否满足工艺要求,剔出不合格产品;
(4)减反射膜沉积:采用等离子体增强型化学气相沉积技术在电池表面沉积一层氮化硅减反射膜,不仅可以减少光的反射,而且有大量的氢原子进入,因此也起到了很好的表面钝化和体钝化的效果;
(5)印刷、烧结:为了从电池上获取电流,一般在电池的正、背两面制作电极。正面栅网电极的形式和厚度要求一方面要有高的透过率,另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。背面做成BSF结构,以减小表面电子复合,印刷后要进行高温烧结;
(6)检测分选:为了保证产品质量的一致性,通常要对每个电池片测试,并按电流和功率大小进行分类,也可根据电池效率进行分级;
(7)包装入库:将分选好的电池片一部分可以进行包装,入库。
上述步骤(2)中对硅片进行离心甩干,是在真空条件下进行的。
上述步骤(2)中扩散设备工作温度为800-900℃。
本发明工艺流程简单、合理,能有效提高产品质量及成品率,节约资源;降低了对制作太阳能电池材料的要求,提高了电池短路电流和开路电压。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的