[发明专利]智能功率模块及其的驱动电路

权利要求书

1.一种智能功率模块的驱动电路，其特征在于，包括第一至第三同步电平转换电路，所述第一至第三同步电平转换电路的电路结构相同且每个同步电平转换电路包括：

双脉冲发生电路，所述双脉冲发生电路的电源正端与所述智能功率模块的低压区供电电源正端相连，所述双脉冲发生电路的电源负端与所述智能功率模块的低压区供电电源负端相连，所述双脉冲发生电路的信号输入端对应与所述智能功率模块的U、V、W相上桥臂输入端相连；

第一反相器，所述第一反相器的输入端与所述双脉冲发生电路的第一输出端相连；

第一CMOS电路，所述第一CMOS电路的第一端与所述第一反相器的输出端相连，所述第一CMOS电路的第二端与所述双脉冲发生电路的电源正端相连，所述第一CMOS电路的第三端与所述双脉冲发生电路的电源负端相连；

第一开关电路，所述第一开关电路的第一端与所述第一CMOS电路的第四端相连，所述第一开关电路的第二端与所述双脉冲发生电路的电源负端相连，所述第一开关电路的第三端对应与所述智能功率模块的U、V、W相高压区的电源正极相连，所述第一开关电路包括第一DMOS管以及与所述第一DMOS管同步导通和关断的第一三极管和第二三极管；

第二反相器，所述第二反相器的输入端与所述双脉冲发生电路的第二输出端相连；

第二CMOS电路，所述第二CMOS电路的第一端与所述第二反相器的输出端相连，所述第二CMOS电路的第二端与所述双脉冲发生电路的电源正端相连，所述第二CMOS电路的第三端与所述双脉冲发生电路的电源负端相连；

第二开关电路，所述第二开关电路的第一端与所述第二CMOS电路的第四端相连，所述第二开关电路的第二端与所述双脉冲发生电路的电源负端相连，所述第二开关电路的第三端对应与所述智能功率模块的U、V、W相高压区的电源正极相连，所述第二开关电路包括第二DMOS管以及与所述第二DMOS管同步导通和关断的第三三极管和第四三极管；

输出电路，所述输出电路的第一端与所述第一开关电路的第四端相连，所述输出电路的第二端与所述第二开关电路的第四端相连，所述输出电路的第三端对应与所述智能功率模块的U、V、W相高压区的电源正极相连，所述输出电路的第四端对应与所述智能功率模块的U、V、W相高压区的电源负极相连，所述输出电路的第五端对应与所述智能功率模块的U、V、W相高压区的输出端相连。

2.如权利要求1所述的智能功率模块的驱动电路，其特征在于，所述第一COMS电路和所述第二COMS电路的电路结构相同，所述第一开关电路和所述第二开关电路的电路结构相同。

3.如权利要求1或2所述的智能功率模块的驱动电路，其特征在于，所述第一COMS电路包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端相连，所述第一PMOS管的衬底与所述第一PMOS管的源极相连后与所述双脉冲发生电路的电源正端相连；

串联的第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端与所述第一PMOS管的漏极相连，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端相连；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第二电阻的另一端相连，所述第一NMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端相连，所述第一NMOS管的衬底与所述第一NMOS管的源极相连后与所述双脉冲发生电路的电源负端相连，所述第一NMOS管的漏极与所述第二电阻的另一端之间具有第一节点。

4.如权利要求3所述的智能功率模块的驱动电路，其特征在于，所述第一电阻为正温度系数的电阻，所述第二电阻为负温度系数的电阻。