[发明专利]利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统及编辑缓存方法有效

专利信息
申请号: 201510288523.5 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN105630406B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 戴瑾;郭一民 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 利用 mram 作为 编辑 缓存 存储系统 方法
【权利要求书】:

1.一种利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统的编辑缓存方法,其特征在于,所述存储系统包括MRAM与块存储设备,所述MRAM包括编辑缓存区,用于缓存文件编辑内容,所述块存储设备用于存储文件数据;

所述编辑缓存方法包括以下步骤:

(1)应用程序为其所编辑的文件,向操作系统申请编辑缓存区中的一块空间作为所述文件的编辑缓存;

(2)当应用程序的用户选择保存所述文件时,所述应用程序按顺序把编辑记录保存在所述文件的编辑缓存内;

(3)当所述文件的编辑缓存中的数据量大于或等于第一设定值,清理文件的编辑缓存区。

2.如权利要求1所述的编辑缓存方法,其特征在于,步骤(2)中编辑记录包括插入记录和删除记录,插入记录包括插入位置、插入内容以及插入内容的长度,删除记录包括删除起始位置以及删除内容的长度。

3.如权利要求1所述的编辑缓存方法,其特征在于,步骤(3)中清理文件的编辑缓存包括以下步骤:

(31)应用程序打开所述文件;

(32)按顺序执行所述文件的编辑缓存中的记录;

(33)将所述文件保存在块存储设备中;

(34)释放所述文件的编辑缓存。

4.一种利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统的编辑缓存方法,文件系统增加编辑接口,其特征在于,所述存储系统包括MRAM与块存储设备,所述MRAM包括编辑缓存区,用于缓存文件编辑内容,所述块存储设备用于存储文件数据;

所述编辑缓存方法包括以下步骤:

(1)当应用程序的用户保存文件时,所述应用程序调用文件系统的编辑接口,把编辑记录保存在所述文件的编辑缓存内;如果所述文件没有编辑缓存,所述文件系统向操作系统申请编辑缓存区中的一块空间作为所述文件的编辑缓存;

(2)当所述文件的编辑缓存中的数据量大于或等于第一设定值,所述文件系统清理所述文件的编辑缓存。

5.如权利要求4所述的利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统的编辑缓存方法,其特征在于,步骤(1)中编辑接口包括插入编辑接口和删除编辑接口,插入编辑接口包括插入位置、插入内容以及插入内容的长度,删除编辑接口包括删除起始位置以及删除内容的长度。

6.如权利要求4所述的利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统的编辑缓存方法,其特征在于,步骤(2)中清理文件的编辑缓存包括以下步骤:

(21)所述文件系统打开所述文件;

(22)按顺序执行所述文件的编辑缓存中的编辑记录;

(23)将所述文件保存在块存储设备中;

(24)释放所述文件的编辑缓存。

7.如权利要求4所述的利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统的编辑缓存方法,其特征在于,文件系统收到读文件指令,打开所述文件,按顺序执行所述文件的编辑缓存中的编辑记录,然后执行读文件指令。

8.如权利要求4所述的利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统的编辑缓存方法,其特征在于,文件系统收到写文件指令,打开所述文件,按顺序执行所述文件的编辑缓存中的编辑记录,按顺序执行,然后执行写文件指令将所述文件保存在块存储设备中,释放所述文件的编辑缓存。

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