[发明专利]MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构

权利要求书

1.一种MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构，其特征在于：包括衬底(1)、形成于所述衬底(1)上的绝缘层(2)、均形成于所述绝缘层(2)上的第一下电极(3a)和第二下电极(3b)，还包括通过第一支撑部(7a)支撑在所述第一下电极(3a)上方的第一上电极(4a)，以及通过第二支撑部(7b)支撑在所述第二下电极(3b)上方的第二上电极(4b)；所述第一上电极(4a)为压力敏感膜，且所述第一上电极(4a)与所述第一下电极(3a)之间的腔体为密闭腔体(9a)，以使所述第一上电极(4a)与所述第一下电极(3a)构成压力传感器的气压敏感型电容器；所述第二上电极(4b)与所述第二下电极(3b)构成电容量不随外界气压变化的基准电容器；还包括通过第三支持部(7c)支撑在衬底(1)上方的惯性敏感结构(4c)，以及与惯性敏感结构(4c)构成惯性传感器的惯性检测电容器的固定极板；其中还包括盖体(8)，所述盖体(8)将惯性敏感结构(4c)、固定极板构成的惯性检测电容器封装在衬底(1)上。

2.根据权利要求1所述的集成结构，其特征在于，所述第二上电极(4b)也为压力敏感膜，所述基准电容器还包括用于限制所述第二上电极(4b)在外界气压作用下发生变形的限位结构。

3.根据权利要求2所述的集成结构，其特征在于，所述基准电容器设置有用于支撑所述第二上电极(4b)的支撑柱(13)，以形成所述限位结构。

4.根据权利要求2所述的集成结构，其特征在于，所述基准电容器设置有压力平衡孔(12)，所述基准电容器中位于第二上电极(4b)与第二下电极(3b)之间的腔体(9b)通过所述压力平衡孔(12)与外界相通，以形成所述限位结构。

5.根据权利要求1所述的集成结构，其特征在于：所述盖体(8)还将第二上电极(4b)、第二下电极(3b)构成的基准电容器封装在衬底(1)上。

6.根据权利要求1所述的集成结构，其特征在于，所述第一上电极(4a)与所述第二上电极(4b)为一体结构。

7.根据权利要求1所述的集成结构，其特征在于，所述第一支撑部(7a)、第二支撑部(7b)、第三支撑部(7c)具有相同的材质、相同的高度；所述第一上电极(4a)、第二上电极(4b)、惯性敏感结构(4c)具有相同的材质、相同的高度；所述第一下电极(3a)、第二下电极(3b)具有相同的材质、相同的高度。

8.根据权利要求7所述的集成结构，其特征在于：所述第一上电极(4a)、第二上电极(4b)的下端面高于惯性敏感结构(4c)的下端面。

9.根据权利要求1所述的集成结构，其特征在于：所述第一支撑部(7a)、第二支撑部(7b)、第三支撑部(7c)上分别设置有贯通孔，所述贯通孔内分别设有与第一上电极(4a)、第二上电极(4b)、惯性敏感结构(4c)电连接的导电材料(6)，并在第一支撑部(7a)、第二支撑部(7b)、第三支撑部(7c)的下端形成多个相应的连接引线(5)，该多个相应的连接引线(5)通过绝缘层(2)走线，并分别连接至衬底(1)上的焊盘集中区(10)。

10.根据权利要求1所述的集成结构，其特征在于：所述固定极板设置在绝缘层(2)上，并作为惯性检测电容器的第三下电极(3c)。