[发明专利]加热器区块及利用所述加热器区块的基板热处理装置有效
申请号: | 201510289357.0 | 申请日: | 2015-05-29 |
公开(公告)号: | CN105140153B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 李成龙;池尙炫;尹斗永;金泰俊 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热器 区块 利用 热处理 装置 | ||
1.一种加热器区块,其特征在于,包括加热灯,所述加热灯用以将热量传递至包括具有不同长度的短边与长边的矩形基板,所述加热灯包括多个灯泡,其中所述灯泡被排列成使平行于所述矩形基板的所述短边安置的所述灯泡的数目与平行于所述矩形基板的所述长边安置的所述灯泡的数目彼此相同,
当所述灯泡的短边:长边排列比率是平行于所述矩形基板的所述短边安置的所述灯泡之间的间隔对平行于所述矩形基板的所述长边安置的所述灯泡之间的间隔的比率时,所述灯泡的所述短边:长边排列比率被确定成使在平行于所述矩形基板的所述短边的方向上安置的所述灯泡的数目与在平行于所述矩形基板的所述长边的方向上安置的所述灯泡的数目彼此相同。
2.根据权利要求1所述的加热器区块,其特征在于,
当所述矩形基板的所述短边的长度与所述长边的长度的比率是所述矩形基板的短边:长边基板比率时,所述灯泡被排列成线性形状,且根据所述矩形基板的所述短边:长边基板比率确定所述灯泡的所述短边:长边排列比率。
3.根据权利要求2所述的加热器区块,其特征在于,
所述灯泡的所述短边:长边排列比率的值被确定为与所述矩形基板的所述短边:长边基板比率的值相同。
4.根据权利要求2所述的加热器区块,其特征在于,
当欲被热处理的多个所述矩形基板的所述短边:长边基板比率互不相同时,所述灯泡的所述短边:长边排列比率被确定为多个所述矩形基板的所述短边:长边基板比率的平均值。
5.根据权利要求4所述的加热器区块,其特征在于,
所述灯泡的所述短边:长边排列比率具有处于1:1.14至1:1.35范围内的任一排列比率。
6.一种加热器区块,其特征在于,包括加热灯,所述加热灯用以将热量传递至包括具有不同长度的短边与长边的矩形基板,所述加热灯包括多个灯泡,其中多个所述灯泡分别平行于所述矩形基板的所述短边及所述长边安置,且平行于所述矩形基板的所述短边的所述灯泡被排列成位于自平行于所述矩形基板的所述长边的所述灯泡之间的中心点平行于所述短边的延伸线上,
当平行于所述矩形基板的所述长边排列的两个所述灯泡的中心点之间的间隙为底边、且自两个所述灯泡之间的中心点至在平行于所述短边的方向上位置最邻近的所述灯泡的中心点的距离为高度时,所述灯泡被排列成使底边:高度比率为1.5:1。
7.一种加热器区块,其特征在于,包括加热灯,所述加热灯用以将热量传递至包括具有不同长度的短边与长边的矩形基板,所述加热灯包括多个灯泡,其中多个所述灯泡分别平行于所述矩形基板的所述短边及所述长边安置,且平行于所述矩形基板的所述长边的所述灯泡被排列成位于自平行于所述矩形基板的所述短边的所述灯泡之间的中心点平行于所述长边的延伸线上,
当平行于所述矩形基板的所述短边排列的两个所述灯泡的中心点之间的间隙为底边、且自两个所述灯泡之间的中心点至在平行于所述长边的方向上位置最邻近的所述灯泡的中心点的距离为高度时,所述灯泡被排列成使底边:高度比率为1:1.2。
8.一种基板热处理装置,其特征在于,包括:
处理室,包括用于矩形基板的热处理空间,所述矩形基板包括具有不同长度的短边及长边;
加热器区块,包括产生热能的多个灯泡,其中当所述灯泡的短边:长边排列比率是平行于所述矩形基板的所述短边安置的所述灯泡之间的间隔对平行于所述矩形基板的所述长边安置的所述灯泡之间的间隔的比率时,所述灯泡的所述短边:长边排列比率被确定成使在平行于所述矩形基板的所述短边的方向上安置的所述灯泡的数目与在平行于所述矩形基板的所述长边的方向上安置的所述灯泡的数目彼此相同;
基板支撑构件,用以支撑所述矩形基板;以及
热处理控制部件,用以个别地控制所述灯泡,以使所述矩形基板得到均匀热处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造