[发明专利]基板热处理装置在审
申请号: | 201510289416.4 | 申请日: | 2015-05-29 |
公开(公告)号: | CN105280504A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 尹斗永;池尙炫;金戊一;崔均旭 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/447 | 分类号: | H01L21/447 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
1.一种基板热处理装置,其特征在于,包括:
热处理室,经配置以界定基板的热处理空间;
基板支撑构件,经配置以在所述热处理空间中支撑所述基板;
加热器区块,在面对所述基板的灯安装表面上设置有多个加热灯;以及
窗口,阻挡由所述加热灯产生的灯波长范围中预定的阻挡波长范围内的光波长,且透射其余波长范围的透射波长范围内的光波长,以将所透射的光波长传递至所述基板。
2.根据权利要求1所述的基板热处理装置,其特征在于,所述窗口包括:
透射板,经配置以透射由所述加热灯产生的所有波长范围内的光波长;以及
涂布膜,涂布于所述透射板的上表面或下表面上,以仅阻挡所述阻挡波长范围内的光波长。
3.根据权利要求2所述的基板热处理装置,其特征在于,所述透射板是由石英材料形成。
4.根据权利要求2所述的基板热处理装置,其特征在于,所述涂布膜是由SiO2、TiO2及Ta2O5中的任一种或多种材料形成。
5.根据权利要求1所述的基板热处理装置,其特征在于,所述窗口是由在不涂布单独涂布膜条件下仅阻挡所述阻挡波长范围内的光波长、且透射所述透射波长范围内的光波长的材料形成。
6.根据权利要求5所述的基板热处理装置,其特征在于,所述窗口是由SiO2、TiO2、ZnSe、GLS、TICI、AqBr、TiBr及KI中的任一种或多种材料形成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板热处理装置,其特征在于,所述阻挡波长范围是自所述灯波长范围内的最低波长至700nm,且所述透射波长范围是自超过700nm的波长至所述灯波长范围内的最高波长的波长范围。
8.根据权利要求7所述的基板热处理装置,其特征在于,所述阻挡波长范围是自100nm至700nm的波长范围,且所述透射波长范围是自超过700nm的波长至4000nm的波长范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AP系统股份有限公司,未经AP系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510289416.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有凸块结构的基板及其制造方法
- 下一篇:一种改善晶圆边缘产品良率的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造