[发明专利]SiCN膜的成膜方法

权利要求书

1.一种SiCN膜的成膜方法，其为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：

向容纳有所述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给所述Si原料气体的工序之后向所述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序，

作为所述氮化剂，使用以下述通式(1)表示的氮与碳的化合物：

其中，所述通式(1)中，R¹、R²、R³为氢原子或任选具有取代基的碳原子数1～8的直链状或支链状的烷基。

2.根据权利要求1所述的SiCN膜的成膜方法，其中，所述R¹、R²、R³的取代基为被碳原子数1～4的直链状或支链状的烷基取代的单烷基氨基或二烷基氨基。

3.根据权利要求1所述的SiCN膜的成膜方法，其中，所述R¹、R²、R³的取代基为碳原子数1～8的直链状或支链状的烷氧基。

4.根据权利要求1所述的SiCN膜的成膜方法，其中，以所述通式(1)表示的化合物为

1H-1,2,3-三唑、

1-甲基-1,2,3-三唑、

1,4-二甲基-1,2,3-三唑、

1,4,5-三甲基-1,2,3-三唑、

1-乙基-1,2,3-三唑、

1,4-二乙基-1,2,3-三唑、或

1,4,5-三乙基-1,2,3-三唑。

5.根据权利要求1所述的SiCN膜的成膜方法，其中，向所述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序以不使用等离子体的方式来实施。

6.根据权利要求1所述的SiCN膜的成膜方法，其中，所述SiCN膜的成膜温度为200℃以上且550℃以下。