[发明专利]一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法有效
| 申请号： | 201510292293.X | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN104934466B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 成建兵;刘雪松;俞露露;陈旭东;郭厚东;滕国兵 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阳极 抬高 ligbt 器件 制造 方法 | ||
1.一种阳极抬高的LIGBT器件，其特征在于：在硅衬底(1)上具有埋氧层(2)；埋氧层上具有漂移区(3)；漂移区一侧为阴极区，一侧为阳极区；在P体区(4)中依次为阴极重掺杂P+区(5)、阴极重掺杂N+区(6)；阳极P+区(8)下轻掺杂N缓冲区(7)，阳极重掺杂N+区(11)抬高，抬高部分(10)高度为d，阳极P+区(8)和阳极重掺杂N+区(11)之间用二氧化硅介质(9)隔离；器件上部依次为阴极(12)、栅极(13)、第一阳极(15)、第二阳极(16)；阴极重掺杂N+区(6)、漂移区(3)之间，P体区(4)的上端为沟道(17)；栅极(13)横跨阴极重掺杂N+区(6)、沟道(17)、漂移区(3)上方，中间有较薄的氧化层(14)隔离；所述硅衬底(1)、漂移区(3)、阴极重掺杂N+区(6)、N缓冲区(7)、阳极重掺杂N+区(11)为N型；阴极P体区(4)、阴极重掺杂P+区(5)、阳极重掺杂P+区(8)为P型。
2.根据权利要求1所述的阳极抬高的LIGBT器件，其特征在于：所述硅衬底(1)为SOI硅衬底。
3.根据权利要求2所述的阳极抬高的LIGBT器件，其特征在于：所述阳极N+抬高，高度d可调。
4.根据权利要求3所述的阳极抬高的LIGBT器件的制造方法，包括以下步骤：
第1步，在SOI硅衬底(1)上外延N漂移区(3)；
第2步，在N漂移区(3)注入轻掺杂N缓冲区(7)；
第3步，在N漂移区(3)中注入轻掺杂P体区(4)；
第4步，在表面生长氧化层(14)，在N漂移区(3)中刻槽二氧化硅介质(9)；
第5步，在P体区(4)中注入阴极重掺杂N+区(6)，在N漂移区(3)中形成N型层抬高部分(10)，离子注入或扩散形成阳极重掺杂N+区(11)；
第6步，在P体区(4)中注入阴极重掺杂P+区(5)，在N缓冲区(7)中注入阳极重掺杂P+区(8)；
第7步，在表面制造电极阴极(12)、栅极(13)、第一阳极(15)、第二阳极(16)。
5.根据权利要求4所述的阳极抬高的LIGBT器件的制造方法，其特征在于：所述第1步中，N漂移区(3)浓度为2×1015cm-3，所述第2、3步中，N缓冲区(7)、P体区(4)浓度为3×1016cm-3，所述第5、6步中，阴极重掺杂N+区(6)、阳极重掺杂N+区(11)、阴极重掺杂P+区(5)、阳极重掺杂P+区(8)浓度为1×1020cm-3。
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