[发明专利]一种(Sr1‑xLnx)2TiO4系列致密导电氧化物陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510292636.2 申请日: 2015-05-27
公开(公告)号: CN104926298B 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 李亮亮;刘全桢;孙立富;李义鹏;高鑫;张云朋;宫宏;孟鹤 申请(专利权)人: 中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院;中国石油化工股份有限公司
主分类号: C04B35/47 分类号: C04B35/47;C04B35/626
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司37205 代理人: 张红凤
地址: 266071 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 sr1 xlnx tio4 系列 致密 导电 氧化物 陶瓷 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及导电氧化物陶瓷的制备技术领域,具体涉及一种(Sr1-xLnx)2TiO4系列的致密导电氧化物陶瓷及其制备方法。

背景技术

陶瓷材料因其具有硬度高、耐腐蚀、特殊的光学、热学等性质,因而在石化行业被广泛使用,然而一般的陶瓷材料是静电非导体,由于摩擦等因素会积聚电荷产生较高静电压,在一定条件下发生静电放电时,对生产不利甚至造成严重的火灾、爆炸事故,使静电问题成为困扰石化行业生产过程的突出技术难题。国标GB 12158-2006中明确规定,生产工艺设备应采用静电导体或静电亚导体,避免采用静电非导体。新安全生产法中也确立了“安全第一、预防为主、综合治理”的安全生产职责,因此,尽量使用静电导体/导电材料是石化行业提高本质安全水平,从源头防范静电事故的必要措施。

Sr2TiO4是一种具有层状钙钛矿结构的宽带隙氧化物半导体,由绝缘盐岩结构SrO单元层和钙钛矿结构SrTiO3单元层沿c轴方向堆垛排列,表现出天然准二维超晶格结构。特殊的界面SrO/SrTiO3层可以增强对声子的散射,使Sr2TiO4具有较低的热导率。通过三价稀土元素离子掺杂替代二价Sr2+,实现Sr2TiO4的n型导电性,制备稀土元素掺杂Sr2TiO4导电陶瓷,具有物理性质稳定,耐酸碱腐蚀、构成元素无毒、原料丰富等优点,适用于石化行业防静电材料、高温温差发电材料、热敏探测传感器材料和阻燃隔热材料方面,具有广阔的应用前景。Sr2TiO4陶瓷的性能与其晶粒尺寸和致密度有关;晶粒尺寸小有利于增强声子在晶界界面的散射,抑制热导率;致密度高有利于降低气孔对电子的散射,提高导电性。一般利用传统的固相反应制备氧化物陶瓷,但由于氧化物阳离子扩散速率小,固相反应进程慢,制备过程中烧结温度高(烧结温度>1450℃),保温时间长,难以获得单相产物,且造成陶瓷晶粒尺寸大,性能差;烧结过程中能耗较高;由于无压烧结,陶瓷致密度低。因此,制备晶粒尺寸小、致密度高的稀土掺杂Sr2TiO4陶瓷是个难点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种致密导电氧化物陶瓷及其制备方法,该氧化物陶瓷为(Sr1-xLnx)2TiO4系列,其首先通过液相共沉淀法合成前驱体沉淀物,然后将前驱体沉淀物利用放电等离子烧结快速成型,制备得到的氧化物陶瓷可导电,满足国标要求,并且其致密度大于98%,室温电阻率为10-5Ω·m量级。

本发明的任务之一在于提供一种(Sr1-xLnx)2TiO4系列陶瓷。

一种致密导电氧化物陶瓷,所述陶瓷的分子式为(Sr1-xLnx)2TiO4,其中,X为0-0.08,Ln为镧系元素,所述陶瓷的致密度大于98%,室温电阻率为10-5Ω·m量级。

上述致密导电氧化物陶瓷所需原料为:选用硝酸锶、镧系硝酸盐和硫酸钛为原料提供金属离子,选用草酸作为沉淀剂。

本发明的任务之二是提供上述致密导电氧化物陶瓷的制备方法,其包括以下步骤:

a、分别称取一定量的硝酸锶、镧系硝酸盐,并依次将二者加入到去离子水中,滴加适量的稀硝酸使溶液保持酸性,充分搅拌至溶液澄清;

b、称取适量的硫酸钛,将其加入至步骤a所得澄清溶液中,磁力搅拌10-30min使二者均匀混合;

c、向步骤b所得混合后的溶液中加入草酸,滴加草酸的同时保持搅拌,待沉淀完全后得前驱体沉淀物,将所述前驱体沉淀物进行离心分离、干燥得沉淀物;

d、将步骤c干燥后的沉淀物放入马弗炉煅烧,得陶瓷母粉;

e、将所得陶瓷木粉放入SPS石墨磨具中,利用SPS烧结炉烧结制得陶瓷块体,即得致密导电氧化物陶瓷。

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