[发明专利]集成电路和电压选择电路在审

专利信息
申请号: 201510292905.5 申请日: 2015-05-26
公开(公告)号: CN104868906A 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 施文斌 申请(专利权)人: 施文斌
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210000 江苏省南京市雨*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 电压 选择 电路
【说明书】:

技术领域

本申请的实施方式涉及集成电路领域,更具体地,涉及一种用于在具有多个电压域的集成电路(IC)启动期间防止本体漏电流的电路。

背景技术

随着集成电路的高速发展,电源管理IC在电子设备中的使用越来越广泛,起着电能变换、分配、检测及其他电能管理的作用。考虑到电能需要变换的跨度通常很大,一般而言,在电源IC中存在多个不同的电压域(voltage domain),各个电压域工作在不同的电源电压(在此也称为域电压)下,按照时间先后顺序建立并用于实现电能的分级管理。

例如,手机充电器是一种常见的电源管理IC。一种常用的手机充电器连接于220V的市电和手机之间,用于将220V的交流电变换成适于为手机充电的5V直流电。这种手机充电器通常包括两个电压域,由先建立的第一电压域将220V的交流电变换成24V的直流电,再由后建立的第二电压域将24V的直流电变换成5V的直流电,该5V的直流电输出给手机用于进行充电。

在各个电压域的启动过程中,如果较早启动的电压域中生成的信号(例如在较迟启动的电压域尚未完全启动之前)流入到较迟启动的电压域中(源极或漏极),则在该信号流入的源极(或漏极)与本体(bulk)之间往往存在漏电流(leakage current)。这将在IC中造成严重的问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题,本说明书提出如下方案。

根据本申请的第一方面,提供一种集成电路,包括:第一电压域,可操作以建立第一域电压;第二电压域,可操作以建立第二域电压;以及电压选择电路,可操作以将建立中的或已经建立的所述第一域电压和建立中的或已经建立的所述第二域电压中的较大者输出作为所述第二电压域的体电压。

在一个实施方式中,所述第一电压域先于所述第二电压域启动。

在一个实施方式中,所述第二电压域中包括一个或多个晶体管,并且所述第二电压域通过所述晶体管中的一个耦合到所述第一电压域。在优选实施方式中,其中所述第二电压域通过所述晶体管中的一个的源极或漏极耦合到所述第一电压域。

在一个实施方式中,所述电压选择电路包括:第一晶体管和第二晶体管,其中所述第一晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第一输入端,所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的源极,其中所述第二晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第二输入端,所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的源极;以及其中所述第一晶体管的漏极和本体与所述第二晶体管的漏极和本体耦合到所述电压选择电路的输出端。

在一个实施方式中,所述一个或多个晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个或多个为PMOS晶体管。

根据本申请的第二方面,提供一种电压选择电路,包括:第一晶体管和第二晶体管;其中所述第一晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第一输入端,所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二晶体管的源极;其中所述第二晶体管的源极耦合到所述电压选择电路的第二输入端,所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的源极;以及其中所述第一晶体管的漏极和本体与所述第二晶体管的漏极和本体耦合到所述电压选择电路的输出端。

在一个实施方式中,所述第一晶体管和/或所述第二晶体管为PMOS晶体管。

附图说明

图1是示出了现有的电源管理IC100的示意图。

图2是示出了根据本申请示例性实施方式的、用于防止漏电流的集成电路200示意图。

图3是示出了根据本申请示例性实施方式的、用于防止漏电流的电压选择电路300的示意图。

具体实施方式

下面将参考若干示例性实施方式来描述本申请的原理和精神。应当理解,给出这些实施方式仅仅是为了使本领域技术人员能够更好地理解进而实现本申请,而并非以任何方式限制本申请的范围。

图1是示出了现有的电源管理IC100的示意图。图1示意性地图示了两个电压域D1和D2。如图1所示,D2通过一个晶体管(图1中示出为PMOS晶体管,但不作为对本申请的限制)作为接口,耦合到D1。具体地,来自D1的信号输入到D2中作为接口的晶体管的源极(图1中示出为源极,但完全可能连接到漏极),该晶体管的漏极再输出供第二电压域中其他器件使用的电压。

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