[发明专利]TM结构晶圆半切测试方法有效
| 申请号： | 201510294242.0 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN104966680A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 王建镖;张健;仲伟宏;王超;黄飞飞 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tm 结构 晶圆半切 测试 方法 | ||
1.一种TM结构晶圆半切测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
S30：将TM结构晶圆贴到膜上，划片机按照预设参数对已贴膜的TM结构晶圆表面进行半切；
S50：将所述TM结构晶圆从所述膜上取下并放置在探针台上进行设置对位及探针测试；
S70：当所述探针测试通过时，将所述TM结构晶圆贴膜封装、全切划片、捡片包装；当所述探针测试失败时，返回步骤S30。
2.根据权利要求1所述的TM结构晶圆半切测试方法，其特征在于，在步骤S30之前还包括：
S10：对接收的TM结构晶圆进行来料质量控制检验；当检验不合格时退换本批接收的TM结构晶圆，重复步骤S10。
3.根据权利要求1所述的TM结构晶圆半切测试方法，其特征在于，所述步骤S30之后还包括：
S40：对半切后的TM结构晶圆进行半切质量控制检验，当检验不合格时，将所述TM结构晶圆从所述膜上取下，返回步骤S30。
4.根据权利要求1所述的TM结构晶圆半切测试方法，其特征在于，当所述设置对位出错时，重新将TM结构晶圆贴到膜上，返回步骤S50。
5.根据权利要求1所述的TM结构晶圆半切测试方法，其特征在于，对所述TM结构晶圆进行全切划片后进行全切质量控制检验，当检验不合格时，重复进行全切划片。
6.根据权利要求1所述的TM结构晶圆半切测试方法，其特征在于，所述半切的切割深度为所述TM结构晶圆的胶体层厚度±10μm。
7.根据权利要求6所述的TM结构晶圆半切测试方法，其特征在于，所述胶体层厚度不小于120μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司，未经南通富士通微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510294242.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
